[实用新型]新型光电池器件有效
| 申请号： | 202122726533.6 | 申请日： | 2021-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN217086598U | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 陈明艳;谢逸群;钱立玉 | 申请（专利权）人： | 浙江鸿之微信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/072 | 分类号： | H01L31/072;H01L31/0725;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京知果之信知识产权代理有限公司 11541 | 代理人： | 高科 |
| 地址： | 314001 浙江省嘉兴市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 新型 光电池 器件 | ||
1.一种新型光电池器件，其特征在于，包括：绝缘衬底，光电复合结构，设置在所述绝缘衬底的顶部，用于产生光电效应；所述光电复合结构为由至少两层不同的光电材料层复合而成；电极组，与所述光电复合结构相接触，用于将所述光电复合结构产生的电信号传输给接收设备。
2.根据权利要求1所述的新型光电池器件，其特征在于，所述电极组包括：第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极分别设置在所述光电复合结构的顶部靠近两端的位置，或设置在所述光电复合结构的内部靠近两端的位置，或设置在所述绝缘衬底的内部靠近两端的位置且从其顶部探出。
3.根据权利要求1所述的新型光电池器件，其特征在于，所述光电复合结构包括：CrI3器件结构层和MgCl2/ZnBr2垂直异质结构层，所述CrI3器件结构层设置在所述绝缘衬底的顶部，所述MgCl2/ZnBr2垂直异质结构层设置在所述CrI3器件结构层的顶部。
4.根据权利要求1所述的新型光电池器件，其特征在于，所述光电复合结构包括：CrI3器件结构层和MgBr2/CdCl2垂直异质结构层，所述CrI3器件结构层设置在所述绝缘衬底的顶部，所述MgBr2/CdCl2垂直异质结构层设置在所述CrI3器件结构层的顶部。
5.根据权利要求1所述的新型光电池器件，其特征在于，所述光电复合结构包括：CrI3器件结构层、MgCl2/ZnBr2垂直异质结构层和MgBr2/CdCl2垂直异质结构层，所述CrI3器件结构层设置在所述绝缘衬底的顶部，所述MgCl2/ZnBr2垂直异质结构层设置在所述CrI3器件结构层的顶部，所述MgBr2/CdCl2垂直异质结构层设置在所述MgCl2/ZnBr2垂直异质结构层的顶部。
6.根据权利要求3所述的新型光电池器件，其特征在于，所述CrI3器件结构层为2L/1L/2L-CrI3结构层。
7.根据权利要求1所述的新型光电池器件，其特征在于，还包括：设置在所述光电复合结构的顶部的防反射膜。
8.根据权利要求1所述的新型光电池器件，其特征在于，所述光电材料层的厚度小于50nm。
9.根据权利要求1所述的新型光电池器件，其特征在于，所述绝缘衬底为由PI、PEN、PET、玻璃或硅构成的绝缘材料层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
