[实用新型]一种双频段NB电路及电路模组

权利要求书

1.一种双频段NB电路及电路模组，其特征在于，包括主芯片，第一晶振，低功率发射模块，高功率发射模块和信号接收模块，高频开关，π型匹配电路3和天线；所述第一晶振与主芯片相连；所述主芯片连接低功率发射模块的输入端，所述主芯片连接高功率发射模块的输入端，所述主芯片连接信号接收模块的输出端；所述低功率发射模块的输出端与高频开关相连，所述高功率发射模块的输出端与高频开关相连，所述信号接收模块的输入端与高频开关相连；高频开关与π型匹配电路3交互连接，所述π型匹配电路3与天线交互连接。

2.根据权利要求1所述的一种双频段NB电路及电路模组，其特征在于：所述高功率发射模块包括电容C71，电容C26，电容C27，电阻R14，功率放大器，电容C35，电感L4，电容C34，低通滤波器，电容C37，电感L6，电容C36；主芯片的RF_TX_LB2发射口和电容C71的第一端连接，电容C71的第二端接地；电容C71的第一端连接电容C26的第一端，电容C26的第二端连接电容C27的第一端，电容C27的第二端接地；电容C27的第二端连接电阻R14的第一端，电阻R14的第二端连接功率放大器的RF_IN端口；功率放大器RF_OUT端口连接电容C35的第一端，电容C35的第二端接地；电容C35的第一端连接电感L4的第一端，电感L4的第二端连接电容C34的第一端，电容C34接地；电感L4的第二端连接低通滤波器的第一端口，低通滤波器的第二端口连接电容C37的第一端，电容C37的第二端接地；电容C37的第一端连接电感L6的第一端，电感L6的第二端连接电容C36的第一端，电容C36的第二端接地；电容C36的第一端为高功率发射模块的输出端。

3.根据权利要求2所述的一种双频段NB电路及电路模组，其特征在于：所述功率放大器的VBAT输入端由主芯片VDDVIB控制输出，包括主芯片，电容C67，电容C241，电容C451，电容C301；主芯片VDDVIB端口连接电容C67的第一端，电容C67的第二端接地；电容C67的第一端连接电容C241的第一端，电容C241的第二端接地；电容C241的第一端连接电容C451的第一端，电容C451的第二端接地；电容的第一端连接电容的第一端，电容的第二端接地，电容的第一端连接功率放大器的VBAT端口。

4.根据权利要求2所述的一种双频段NB电路及电路模组，其特征在于：功率放大器的VCC由主芯片的VDDWAP输出控制；包括主芯片，电感L3，电容C10，电容C11，电感L8，电容C30，电容C45，电容C24；电感L3的第一端连接主芯片的LX_WPA端口，电感L3的第二端连接电容C10的第一端，电容C10的第二端接地；电感L3的第二端连接电容C11的第一端，电容C11的第二端接地；电感L3的第二端连接主芯片的FB_WPA端口；电感L3的第二端连接电感L8的第一端，电感L8的第二端连接电容C30的第一端，电容C30的第二端接地；电容C30的第一端连接电容C45的第一端，电容C45的第二端接地；电容C45的第一端连接电容C24的第一端，电容C24的第二端接地，电容C24的第一端连接功率放大器的VCC端口。

5.根据权利要求1所述的一种双频段NB电路及电路模组，其特征在于：所述低功率发射模块包括电容C39，电容C38，电感L7，电容C28；主芯片的RF_TX_LB1发射口连接电容C39的第一端，电容C39的第二端连接电容C38的第一端，电容C38的第二端接地；电容C38的第一端连接电感L7的第一端，电感L7的第二端连接电容C28的第一端，电容C28的第二端接地；电容L7的第二端为低功率发射模块的输出端。

6.根据权利要求1所述的一种双频段NB电路及电路模组，其特征在于：所述信号接收模块包括电感L69，电容C68，电容C70；主芯片的RX_RX_NB_LB端口连接电感L69的第一端，电感L69的第二端接地；电感L69的第一端连接电容C68的第一端，电容C68的第二端连接电容C70的第一端，电容C70的第二端接地；电容C70的第一端为信号接收模块的输入端。

7.根据权利要求1所述的一种双频段NB电路及电路模组，其特征在于：所述π型匹配电路3包括电容C41，电容C25，电容C42，电阻R20，；高频开关的ANT端口连接电容C41的第一端，电容C41第二端接地，电容C41的第一端连接电容C25的第一端，电容C24的第二端连接电容C42的第一端，电容C42的第二端接地；电容C25的第二端连接电阻R20的第一端，电阻R20的第二端连接D2的第一端，D2的第二端接地；电阻R20的第二端为π型匹配电路3的输出端。