[实用新型]一种双离子束共溅射纳米膜装置

说明书

本实用新型公开了一种双离子束共溅射纳米膜装置，包括箱体和真空泵，所述箱体靠近底端位置处安装有底板，所述箱体顶端中间位置处通过轴承安装有旋转轴，所述旋转轴底端位于箱体内部靠近顶端位置处安装有支撑座，所述支撑座底端中间位置处通过磁力座安装有原料板，所述旋转轴外表面靠近顶端位置处安装有齿轮A，所述箱体内部靠近顶端两侧位置处均安装有离子源，所述箱体前表面中间位置处安装有箱门。本实用新型解决了现有装置靶材材料多采用固定设置，无法进行调整，覆膜材料较为单一，覆膜效果不佳，且多采用单个离子源对原料进行溅射覆膜，覆膜效率低，生产效率不佳的问题，提高了本实用新型的生产效率和覆膜效率。

技术领域

本实用新型涉及离子束共溅射技术领域，具体为一种双离子束共溅射纳米膜装置。

背景技术

双离子束共溅射是利用离子源产生一定能量的离子束轰击置于高真空中的靶材，使其原子溅射出来，沉积在基底成膜的过程。是一种薄膜沉积工艺，使用离子源，将靶材(金属或电介质)沉积或溅射到基片上，以形成金属或电介质膜。因为离子束是等能的(离子具有相等的能量)，且高度准直，所以与其他PVD(物理气相沉积)技术相比，其能够精确地控制厚度，并沉积非常致密的高质量薄膜。

现有的离子束共溅射纳米膜装置，靶材材料多采用固定设置，无法进行调整，覆膜材料较为单一，覆膜效果不佳，且多采用单个离子源对原料进行溅射覆膜，覆膜效率低，生产效率不佳，为此，我们提出一种双离子束共溅射纳米膜装置。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种双离子束共溅射纳米膜装置，具备双离子源的优点，解决了现有装置靶材材料多采用固定设置，无法进行调整，覆膜材料较为单一，覆膜效果不佳，且多采用单个离子源对原料进行溅射覆膜，覆膜效率低，生产效率不佳的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种双离子束共溅射纳米膜装置，包括箱体和真空泵，其中所述箱体靠近底端位置处安装有底板，所述箱体顶端中间位置处通过轴承安装有旋转轴，所述旋转轴底端位于箱体内部靠近顶端位置处安装有支撑座，所述支撑座底端中间位置处通过磁力座安装有原料板，所述旋转轴外表面靠近顶端位置处安装有齿轮A，所述箱体内部靠近顶端两侧位置处均安装有离子源，所述箱体前表面中间位置处安装有箱门。

优选的，所述箱体顶端一侧位置处安装有驱动电机，所述驱动电机输出轴末端位于齿轮A一侧位置处齿轮B，所述齿轮B与齿轮A相啮合。

优选的，所述离子源共有两个，且两个离子源分设于箱体内部靠近顶端位置处。

优选的，所述箱体内部顶端两侧位置处均安装有排风电机，两侧所述排风电机输出轴末端位置处均安装有风扇。

优选的，所述箱体内部靠近底端中间位置处安装有调节杆，所述调节杆一端位于箱体一侧位置处安装有位移电机，所述调节杆外表面位于箱体内部两侧位置处均安装有滑块，两侧所述滑块与调节杆通过螺纹相连接。

优选的，两侧所述滑块顶端位置处安装有靶台，所述靶台是由两组不同靶材组成。

优选的，所述底板顶端一侧中间位置处安装有过滤器，所述过滤器一侧位于底板顶端位置处通过真空管B连接有真空泵，所述过滤器背离真空管B一侧中间位置处通过真空管A连接于箱体，所述过滤器内部靠近顶端位置处安装有过滤网。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：

1、本实用新型通过在箱体内部靠近顶端位置两侧位置处设有离子源，达到增加溅射覆膜效率的效果，在两侧滑块顶端位置处设置靶台，以解决多采用单个离子源对原料进行溅射覆膜，覆膜效率低，生产效率不佳的问题，提高了本实用新型的生产效率。