[实用新型]一种NMOS作为高边开关的驱动电路有效
申请号: | 202122780094.7 | 申请日: | 2021-11-15 |
公开(公告)号: | CN216252682U | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 杨宗禄 | 申请(专利权)人: | 深圳禄华科技有限公司 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687 |
代理公司: | 深圳汇策知识产权代理事务所(普通合伙) 44487 | 代理人: | 梁超 |
地址: | 518172 广东省深圳市龙*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 nmos 作为 开关 驱动 电路 | ||
本实用新型涉及一种NMOS作为高边开关的驱动电路,电源输入口Vin和电源输出口Vout之间设置有NMOS管M3,MCU输出端连接有电阻RM1,电阻RM1连接有电阻RM2和三极管QM2的基极,电阻RM2和三极管QM2的发射极连接到电阻RM3,电源输入口Vin还连接有二极管MD3的正极,二极管DM3的负极连接有电阻RM4和三极管QM3的发射极,三极管QM2的集电极与三极管QM3的基极和电阻RM4连接,三极管QM3的集电极与电阻RM5连接,电阻RM5与二极管DM2的正极和三极管QM4的基极连接,三级管QM4的发射极与二极管DM2的负极连通并与NMOS管M3连接,三极管QM4的基极和集电极之间连接有电阻RM6,三极管QM4的集电极连接到电源输出口Vout;对于负载端需要通过大电流的,NMOS能满足要求。
技术领域
本实用新型涉及高边驱动领域,尤其涉及一种NMOS作为高边开关的驱动电路。
背景技术
高边驱动是指通过直接在用电器或者驱动装置前通过在电源线闭合开关来实现驱动装置的使能,高边驱动经常用于燃油泵和车身相关功能,如座椅,照明,雨刷和风扇等,高边驱动正常都会选择高边开关,或者PMOS,但是实际中PMOS的电流较小,高边开关也是一样,对于大电流的运用情况,PMOS和高边开关就不能满足系统要求,另外PMOS和高边开关都比较贵。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种NMOS作为高边开关的驱动电路,采用NMOS作为高边开关,并配备对应的电路结构,导通电流可以达到30A,甚至50A以上,30A~50A的PMOS和高边开关就非常少,也非常贵,是NMOS的4倍以上,该驱动电路元器件价值较低,成本比之前低,可以提高产品的竞争力,另外对于负载端需要通过大电流的,NMOS就能满足要求。通常来说NMOS用在低边控制,但是NMOS用作高边控制,它的驱动电路的设计就比较关键,设计不好就容易烧NMOS。
为了实现以上目的,本实用新型采用的技术方案为:一种NMOS作为高边开关的驱动电路,包括MCU、电源输入口Vin和电源输出口Vout,电源输入口Vin和电源输出口Vout之间设置有NMOS管M3,所述的MCU输出端连接有电阻RM1,电阻RM1的输出端连接有电阻RM2和三极管QM2的基极,电阻RM2的输出端和三极管QM2的发射极连接到电阻RM3,电阻RM3接地,电源输入口Vin还连接有二极管MD3的正极,二极管DM3的负极连接有电阻RM4和三极管QM3的发射极,三极管QM2的集电极与三极管QM3的基极和电阻RM4的输出端连接,三极管QM3的集电极与电阻RM5的输入端连接,电阻RM5的输出端与二极管DM2的正极和三极管QM4的基极连接,三级管QM4的发射极与二极管DM2的负极连通并与NMOS管M3连接,三极管QM4的基极和集电极之间连接有电阻RM6,三极管QM4的集电极连接到电源输出口Vout。
优选的,三极管QM2是NPN型三极管,三极管QM3和QM4为PNP型三级管。
优选的,三级管QM3的发射极和电源输出口Vout之间连接有电容CM19。
本实用新型采用NMOS作为高边开关,并配备对应的电路结构,导通电流可以达到30A,甚至50A以上,该驱动电路元器件价值较低,成本比之前低,可以提高产品的竞争力,另外对于负载端需要通过大电流的,NMOS就能满足要求。
附图说明
图1为传统高边控制方案的电路图。
图2为一种NMOS作为高边开关的驱动电路的电路原理图。
具体实施方式
为了使本领域技术人员更好地理解本实用新型的技术方案,下面结合附图对本实用新型进行详细描述,本部分的描述仅是示范性和解释性,不应对本实用新型的保护范围有任何的限制作用。
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