[实用新型]一种双存储CMOS图像传感器电路

权利要求书

1.一种双存储CMOS图像传感器电路，其特征在于，包括依次相连的像元电路、差分采样电路和读出电路，所述像元电路用于获取信号电平及复位电平，所述差分采样电路用于存储所述信号电平及复位电平，并通过所述读出电路输出到总线；

所述读出电路包括第一源极跟随器、第二源极跟随器、第一选择开关和第二选择开关，所述第一源极跟随器的栅极作为所述读出电路的第一输入端、所述第二源极跟随器的栅极作为所述读出电路的第二输入端，分别连接所述差分采样电路的输出端，所述第一源极跟随器的漏极连接所述第一选择开关的漏极，所述第二源极跟随器的漏极连接所述第二选择开关的漏极，所述第一选择开关和第二选择开关的源极均连接第一电源，所述第一源极跟随器和第二源极跟随器的源极分别接入总线，第一、第二选择开关的栅极分别连接控制器。

2.根据权利要求1所述的双存储CMOS图像传感器电路，其特征在于，所述像元电路包括扎光电二极管、传输晶体管、复位晶体管、悬浮扩散区电容和第三源极跟随器；所述扎光电二极管的阳极连接第二电源，阴极连接所述传输晶体管的源极，所述传输晶体管的漏极分别连接所述复位晶体管的源极和第三源极跟随器的栅极，所述复位晶体管的源极和第三源极跟随器的栅极之间还连接所述悬浮扩散区电容的一端，另一端接地，所述复位晶体管的漏极连接第三电源，所述第三源极跟随器的漏极连接第一电源，所述第三源极跟随器的源极作为所述像元电路的输出端连接所述差分采样电路的输入端，所述传输晶体管和复位晶体管的栅极分别连接控制器；

所述复位晶体管导通时，所述悬浮扩散区电容的电压复位，将复位后的电压作为所述复位电平；所述传输晶体管导通时，所述扎光电二极管积累的电荷转移到所述悬浮扩散区电容，将所述悬浮扩散区电容的电压作为所述信号电平。

3.根据权利要求2所述的双存储CMOS图像传感器电路，其特征在于，所述像元电路还包括像素复位晶体管，所述像素复位晶体管的源极连接所述扎光电二极管的阴极，漏极连接第四电源，栅极连接控制器；所述像素复位晶体管导通时，所述扎光电二极管的电压复位。

4.根据权利要求1所述的双存储CMOS图像传感器电路，其特征在于，所述差分采样电路包括第一采样晶体管、第二采样晶体管、第一存储电容和第二存储电容；所述第一采样晶体管和第二采样晶体管的源极作为所述差分采样电路的输入端分别连接所述像元电路的输出端，所述第一采样晶体管的漏极作为所述差分采样电路的第一输出端，分别连接所述第一存储电容的一端和所述读出电路的第一输入端，所述第二采样晶体管的漏极作为所述差分采样电路的第二输出端，分别连接所述第二存储电容的一端和所述读出电路的第二输入端，所述第一存储电容和第二存储电容的另一端均接地，第一、第二采样晶体管的栅极分别连接控制器；

所述第一采样晶体管导通时，所述像元电路输出的复位电平将存储于所述第一存储电容中；所述第二采样晶体管导通时，所述像元电路输出的信号电平将存储于所述第二存储电容中。

5.根据权利要求2或3所述的双存储CMOS图像传感器电路，其特征在于，所述悬浮扩散区电容为MOS电容、MIM电容和金属线间叉指电容中的一种或多种组合。