[实用新型]一种p-GaN器件的片内过压保护电路有效
| 申请号： | 202122799707.1 | 申请日： | 2021-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN215378446U | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 刘毅;徐周;林芳 | 申请（专利权）人： | 芯众享（成都）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04;H02H7/20 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 610000 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan 器件 保护 电路 | ||
1.一种p-GaN器件的片内过压保护电路，其特征在于，包括作为主器件的增强型P-GaNHEMT器件、作为小回跳管的触发二极管组；
所述增强型P-GaNHEMT器件的栅极连接的触发二极管组的一端；
所述增强型P-GaNHEMT器件的源极连接的触发二极管组的另一端；
其中，触发二极管组由多个二极管串联或并联构成。
2.根据权利要求1所述的一种p-GaN器件的片内过压保护电路，其特征在于，所述触发二极管组由多个二极管串联构成，触发二极管的阳极连接增强型P-GaNHEMT器件的栅极、阴极连接增强型P-GaNHEMT器件的源级。
3.根据权利要求1所述的一种p-GaN器件的片内过压保护电路，其特征在于，所述触发二极管组由多个二极管串联构成，触发二极管的阴极连接增强型P-GaNHEMT器件的栅极、阳极连接增强型P-GaNHEMT器件的源级。
4.根据权利要求1所述的一种p-GaN器件的片内过压保护电路，其特征在于，所述触发二极管组由多个二极管并联构成，触发二极管的阳极连接增强型P-GaNHEMT器件的栅极、阴极连接增强型P-GaNHEMT器件的源级。
5.根据权利要求1所述的一种p-GaN器件的片内过压保护电路，其特征在于，所述触发二极管组由多个二极管并联构成，触发二极管的阴极连接增强型P-GaNHEMT器件的栅极、阳极连接增强型P-GaNHEMT器件的源级。
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