[实用新型]一种氮化镓外延片及半导体器件有效
| 申请号： | 202122820596.8 | 申请日： | 2021-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN216389379U | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 李利哲 | 申请（专利权）人： | 江苏第三代半导体研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/205;H01L29/207;H01L21/205 |
| 代理公司： | 苏州智品专利代理事务所(普通合伙) 32345 | 代理人： | 唐学青 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 外延 半导体器件 | ||
1.一种氮化镓外延片，包括衬底，其特征在于：所述衬底上依次设置为低温AlN缓冲层、高温AlN缓冲层、疏松AlGaN层、铝渐变层、氮化镓过渡层和氮化镓外延层；所述铝渐变层的厚度为80-150nm。
2.如权利要求1所述的一种氮化镓外延片，其特征在于：所述低温AlN缓冲层的厚度为10-15nm，所述高温AlN缓冲层的厚度为40-55nm。
3.如权利要求1所述的一种氮化镓外延片，其特征在于：所述的衬底包括蓝宝石衬底。
4.如权利要求1所述的一种氮化镓外延片，其特征在于：所述氮化镓过渡层的厚度为50-100nm。
5.如权利要求1至4任一所述的一种氮化镓外延片，其特征在于：所述的镓外延层由第一氮化镓外延层和第二氮化镓外延层组成，所述氮化镓外延层总厚度为1.5-2微米，其中第一氮化镓外延层的厚度为100-180nm。
6.一种半导体器件，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的氮化镓外延片。
7.如权利要求6所述的一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为发光二极管、激光二极管、光电探测器、雪崩光电二极管、高电子迁移率晶体管、金属半导体场效应晶体管、金属氧化物场效应晶体管、功率金属绝缘体半导体场效应晶体管、双极结晶体管、金属绝缘体场效应晶体管、异质结双极晶体管、功率绝缘栅双极晶体管、功率垂直结场效应晶体管中的一种。
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