[实用新型]基于双极型场效应晶体管的阈值反相器有效
| 申请号： | 202122837265.5 | 申请日： | 2021-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN216435900U | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 任天令;鄢诏译;田禾;杨轶 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L27/082 | 分类号： | H01L27/082;H03K3/037;H03M1/36 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 花丽 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 双极型 场效应 晶体管 阈值 反相器 | ||
1.一种基于双极型场效应晶体管的阈值反相器，其特征在于，包括：第一匀质反相器至第N匀质反相器，其中，
所述第一匀质反相器至第N匀质反相器的第一端均连接输入电压，第N-1匀质反相器的第二端连接所述第N匀质反相器的第三端，并输出所述第N-1匀质反相器的输出电压，所述第N匀质反相器的第二端连接第一供电电压，所述第一匀质反相器的第三端连接第二供电电压。
2.根据权利要求1所述的基于双极型场效应晶体管的阈值反相器，其特征在于，所述匀质反相器由双极型场效应晶体管构成。
3.根据权利要求1所述的基于双极型场效应晶体管的阈值反相器，其特征在于，所述第一匀质反相器至第N匀质反相器的跳变阈值电压由匀质反相器中上拉与下拉网络的比例控制。
4.根据权利要求2所述的基于双极型场效应晶体管的阈值反相器，其特征在于，所述匀质反相器中上拉与下拉网络的比例通过所述双极型场效应晶体管中的沟道参数确定，其中，所述沟道参数包括沟道长度或双极型场效应晶体管宽度。
5.根据权利要求2所述的基于双极型场效应晶体管的阈值反相器，其特征在于，所述双极型场效应晶体管的器件结构包括背栅结构和顶栅结构。
6.根据权利要求2所述的基于双极型场效应晶体管的阈值反相器，其特征在于，所述双极型场效应晶体管的转移特性曲线中栅源电压VGS为负值时，漏源电流Ids随栅源电压VGS的增大而减小，栅源电压VGS为正值时，漏源电流Ids随栅源电压VGS的增大而增大，且转移特性曲线随着漏源电压VDS增大而增大。
7.根据权利要求1-6任一项所述的基于双极型场效应晶体管的阈值反相器，其特征在于，所述阈值反相器通过不同沟长的双极型场效应晶体管输出不同的跳变阈值电压。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
