[实用新型]一种半导体激光器系统

说明书

一种半导体激光器系统，包括：若干个发光封装单元，所述发光封装单元包括：管座；位于所述管座一侧的封帽，所述封帽和所述管座围成闭合腔体，所述封帽包括出光区；半导体激光器芯片，所述半导体激光器芯片位于所述闭合腔体中；若干个准直单元；若干个成像结构，所述成像结构分别位于所述出光区和所述准直单元之间，所述成像结构适于将所述半导体激光器芯片的出光面处的光斑成像在所述成像结构与所述准直单元之间。所述半导体激光器系统同时兼顾半导体激光器系统的可靠性较高、输出功率高和光束质量高。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体激光器系统。

背景技术

半导体激光器具有体积小、重量轻、效率高、寿命长，波长范围广等优点，近年来得到了快速的发展，随着应用范围的扩展，对激光功率的需求也越来越高。现有技术中制作高功率光纤耦合输出半导体激光器时，通常需先对快轴和慢轴方向大角度的发散光进行准直，再耦合进输出光纤。而在现有技术中，对于将多芯片耦合到一根光纤的情况，无法同时兼顾半导体激光器系统的可靠性较高、输出功率高和光束质量高。因此，现有的半导体激光器系统仍有待改进。

实用新型内容

因此，本实用新型要解决的技术问题在于克服现有技术中半导体激光器系统无法同时兼顾半导体激光器系统的可靠性较高、输出功率高和光束质量高的问题。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种半导体激光器系统，包括：若干个发光封装单元，所述发光封装单元包括：管座；位于所述管座一侧的封帽，所述封帽和所述管座围成闭合腔体，所述封帽包括出光区；半导体激光器芯片，所述半导体激光器芯片位于所述闭合腔体中；若干个准直单元；若干个成像结构，所述成像结构位于所述出光区和所述准直单元之间，所述成像结构适于将所述半导体激光器芯片的出光面处的光斑成像在所述成像结构与所述准直单元之间。

可选的，所述若干个发光封装单元呈阵列排布。

可选的，所述成像结构包括第一正柱面透镜和第二正柱面透镜透镜；所述第一正柱面透镜包括第一柱面和与第一柱面相对设置的第一平面，所述第二正柱面透镜包括第二柱面和与第二柱面相对设置的第二平面，所述第二柱面与所述第一柱面相对设置，所述第一柱面和所述第二柱面位于第一平面和第二平面之间。

可选的，所述第二正柱面透镜的焦距大于或等于所述第一正柱面透镜的焦距的0.5倍且小于或等于所述第一正柱面透镜的2倍。

可选的，所述半导体激光器芯片出光面设置在所述第一正柱面透镜背向所述第二正柱面透镜一侧的焦点位置。

可选的，所述成像结构包括沿着所述出光区至所述准直单元的光路路径上依次间隔设置的第一球面镜至第N球面镜，N为大于或者等于1的整数。

可选的，N＝1；所述半导体激光器芯片的出光面至所述第一球面镜的中心的距离大于所述第一球面镜的焦距的1倍且小于所述第一球面镜的焦距的3倍；所述半导体激光器芯片的出光面处光斑的成像位置至所述第一球面镜中心的距离大于所述第一球面镜的焦距的1倍且小于所述第一球面镜的焦距的3倍。

可选的，所述准直单元包括快轴准直镜，所述成像结构适于将所述半导体激光器芯片的出光面处的光斑成像在所述快轴准直镜朝向所述成像结构一侧的焦点位置。

可选的，所述快轴准直镜的焦距为100um至2000um。

可选的，还包括：在所述快轴准直镜射出的光的光路上依次设置的慢轴准直镜、45度反射镜、聚焦透镜和光纤。

本实用新型，具有如下优点：