[实用新型]一种铝基板检测仪

权利要求书

1.一种铝基板检测仪，其特征在于：包括电阻器，以及与铝基板电性连接的开关电源(1)、两路开关电源(5)和两个中间继电器(3)；

所述开关电源(1)与市电连接，并将市电降压后提供15V直流电源；所述开关电源(1)与市电的连接线路上设置有船型开关；所述两路开关电源(5)与市电连接，并将市电降压后提供5V/24V直流电源；所述两路开关电源(5)与市电的连接线路上设置有船型开关；所述两路开关电源(5)向电阻器提供5V直流电源；所述两路开关电源(5)和电阻器之间的线路上串联有五位电流表(2)；

所述铝基板的电路层上设置有三相半桥电路；所述三相半桥电路布局包括U相上半桥区域、U相下半桥区域、V相上半桥区域、V相下半桥区域、W相上半桥区域和W相下半桥区域；所述三相半桥电路的六个区域均包括贴装在电路层上的MOSFET模组；UPG、UNG、VPG、VNG、WPG和WNG通过插头以及线束与中间继电器(3)和LED灯(4)连接；所述MOSFET模组通过中间继电器(3)接受开关电源(1)提供的15V直流电源；所述两路开关电源(5)向铝基板和LED灯(4)提供24V直流电源；

所述两个中间继电器(3)为四开四闭的中间继电器；所述两个中间继电器(3)包括上半桥中间继电器和下半桥中间继电器；所述上半桥中间继电器包括继电器常开端K1-1、继电器常开端K1-2和继电器常开端K1-3；所述继电器常开端K1-1与U相上半桥MOSFET模组连接；所述开关电源(1)、继电器常开端K1-1与U相上半桥MOSFET组成常开端处回路；所述继电器常开端K1-2与V相上半桥MOSFET模组连接；所述开关电源(1)、继电器常开端K1-2与V相上半桥MOSFET组成常开端处回路；所述继电器常开端K1-3与W相上半桥MOSFET模组连接；所述开关电源(1)、继电器常开端K1-3与W相上半桥MOSFET组成常开端处回路；所述下半桥中间继电器包括继电器常开端K2-1、继电器常开端K2-2和继电器常开端K2-3；所述继电器常开端K2-1与U相下半桥MOSFET模组连接；所述开关电源(1)、继电器常开端K2-1与U相下半桥MOSFET组成常开端处回路；所述继电器常开端K2-2与V相下半桥MOSFET模组连接；所述开关电源(1)、继电器常开端K2-2与V相下半桥MOSFET组成常开端处回路；所述继电器常开端K2-3与W相下半桥MOSFET模组连接；所述开关电源(1)、继电器常开端K2-3与W相下半桥MOSFET组成常开端处回路。