[实用新型]一种双向电子开关

说明书

本实用新型提供一种双向电子开关，包括：半导体组件，所述半导体组件包括两个超结金氧半场效晶体管；所述两个超结金氧半场效晶体管的源极相互电连接，以形成第一端口；所述两个超结金氧半场效晶体管的漏区相互形成一对开关，以形成第二端口；所述两个超结金氧半场效晶体管的栅区相互电连接，形成第三端口；所述两个超结金氧半场效晶体管均为横向方向设置或均为垂直方向设置；所述两个超结金氧半场效晶体管之间的导电柱呈锯齿形设置。本实用新型能够提高双向电子开关的性能。

技术领域

本实用新型属于电子开关技术领域，尤其涉及一种双向电子开关。

背景技术

传统的高压双向电子开关，特别是超频LDMOSFET基于双向电子开关的电流为混合传导方式，这种电流混合会导致电流拥塞，从而反过来降低传导效率。这种低传导效率可视为双向开关的散热，以及器件的电阻增加。使得电子开关电流传导拥堵，降低电子开关的性能。可见，现有电子开关存在性能较差的问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种双向电子开关，旨在解决现有开关性能差的问题。

本实用新型是这样实现的，提供一种双向电子开关，包括：半导体组件，所述半导体组件包括两个超结金氧半场效晶体管；所述两个超结金氧半场效晶体管的源极相互电连接，以形成第一端口；所述两个超结金氧半场效晶体管的漏区相互形成一对开关，以形成第二端口；所述两个超结金氧半场效晶体管的栅区相互电连接，形成第三端口；所述两个超结金氧半场效晶体管均为横向方向设置或均为垂直方向设置；所述两个超结金氧半场效晶体管之间的导电柱呈锯齿形设置。

进一步地，所述两个超结金氧半场效晶体管均为横向方向设置时：

采用所述两个超结金氧半场效晶体管的表面同一侧的交替电导水平柱，通过漏区连接形成两个横向超结金氧半场效晶体管组成的双向开关；

所述两个横向超结金氧半场效晶体管的漏区连接在一起，形成共同的横向漏区；

所述两个横向超结金氧半场效晶体管的P型导电柱和n型导电柱排列成锯齿形图案；

所述两个横向超结金氧半场效晶体管的交替导电水平柱与所述锯齿形图案对齐，其中，一个横向超结金氧半场效晶体管的n型导电柱与另一个横向超结金氧半场效晶体管的p型导电柱呈几何对齐，所述n型导电柱以及所述p型导电柱均与所述横向漏区相连。

进一步地，所述两个超结金氧半场效晶体管均为垂直方向设置时：

采用所述两个超结金氧半场效晶体管的两个表面，通过交替导电垂直柱以漏区形式，形成两个垂直超结金氧半场效晶体管组成的双向开关；

所述两个垂直超结金氧半场效晶体管的漏区连接在一起，形成共同的垂直漏区；

所述两个垂直超结金氧半场效晶体管的交替导电垂直柱呈锯齿形排列，其中一个垂直超结金氧半场效晶体管的n型导电柱与另一个垂直超结金氧半场效晶体管的p型导电柱呈几何对齐，n型导电柱以及p型导电柱均与所述垂直漏区相连。

进一步地，所述两个超结金氧半场效晶体管均为n通道器件，或者，所述两个超结金氧半场效晶体管均为p通道器件。

进一步地，所述两个横向超结金氧半场效晶体管的水平漏区与交替导电水平柱的宽度不同。

进一步地，所述两个垂直超结金氧半场效晶体管的垂直漏区与交替导电垂直柱的宽度不同。

进一步地，所述两个横向超结金氧半场效晶体管的横向漏区与交替导电水平柱均以条纹的形式设置。

进一步地，所述两个垂直超结金氧半场效晶体管的垂直漏区与交替导电垂直柱均以条纹的形式设置。

进一步地，所述超结金氧半场效晶体管包括：

第一导电性类型的衬底；