[实用新型]二极管封装结构有效
申请号: | 202122870218.0 | 申请日: | 2021-11-22 |
公开(公告)号: | CN216413071U | 公开(公告)日: | 2022-04-29 |
发明(设计)人: | 袁禧霙;侯竣元;王惠东 | 申请(专利权)人: | 芯沣科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L23/31 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 刘曾 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 二极管 封装 结构 | ||
1.一种二极管封装结构,其特征在于,所述二极管封装结构包括:
一二极管芯片,其具有一第一电极以及一第二电极;
一第一导电结构,其包括:
一承载部,其具有一第一表面以及与所述第一表面相反的第二表面,其中,所述二极管芯片以所述第一电极朝向所述第一表面而设置在所述承载部上;以及
一引脚部,其连接于所述承载部并凸出于所述第一表面,其中,所述引脚部通过所述承载部电性连接于所述第一电极;以及
一模封层,其包覆所述二极管芯片以及所述第一导电结构,其中,所述承载部完全埋入所述模封层内,所述引脚部的一第一导电表面裸露在所述模封层的一外表面。
2.根据权利要求1所述的二极管封装结构,其特征在于,所述第二电极的一表面与所述引脚部的所述第一导电表面裸露于所述二极管封装结构的相同侧,且所述第一导电表面与所述第二电极的所述表面之间的一高度差不超过10μm。
3.根据权利要求1所述的二极管封装结构,其特征在于,所述引脚部为一导电凸块,所述导电凸块设置在所述承载部的所述第一表面上。
4.根据权利要求1所述的二极管封装结构,其特征在于,所述引脚部包括一连接部与一平台部,所述平台部具有所述第一导电表面,且所述第一导电表面与所述第一表面之间具有一高度差,所述连接部由所述承载部延伸至所述平台部。
5.根据权利要求1所述的二极管封装结构,其特征在于,所述二极管封装结构还进一步包括:一第二导电结构,所述二极管芯片位于所述承载部与所述第二导电结构之间,所述第二导电结构电性连接于所述第二电极,所述第二导电结构具有一第二导电表面,所述第二导电表面与所述第一导电表面位于所述模封层的相同侧,所述第一导电表面与所述第二导电表面之间的一高度差不超过10μm。
6.根据权利要求1所述的二极管封装结构,其特征在于,所述二极管封装结构还进一步包括:一第二导电结构,所述二极管芯片位于所述承载部与所述第二导电结构之间,其中,所述引脚部包括一第一延伸部,所述第二导电结构包括一第二延伸部,所述第一延伸部与所述第二延伸部凸出于所述模封层。
7.根据权利要求6所述的二极管封装结构,其特征在于,所述模封层具有一组装面与一背面,所述组装面与所述第一导电表面位于所述二极管封装结构的相同侧,所述第一延伸部与所述第二延伸部各具有沿着远离所述组装面的方向弯折的弯折段。
8.根据权利要求6所述的二极管封装结构,其特征在于,所述模封层具有一组装面与一背面,所述组装面与所述第一导电表面位于所述二极管封装结构的相同侧,所述第一延伸部与所述第二延伸部分别沿着所述模封层的两相反侧表面朝向所述背面延伸一预定距离。
9.根据权利要求1所述的二极管封装结构,其特征在于,所述承载部包括一绝缘基材以及位于所述绝缘基材上的一导电层,所述二极管芯片的所述第一电极与所述引脚部共同连接于所述导电层,而彼此电性连接。
10.根据权利要求1所述的二极管封装结构,其特征在于,所述二极管封装结构还进一步包括:一导电接合材,其中,所述导电接合材位于二极管芯片的所述第一电极与所述承载部之间。
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