[实用新型]一种IBC结构锑化镓热光伏电池

权利要求书

1.一种IBC结构锑化镓热光伏电池，其特征在于，所述IBC结构锑化镓热光伏电池包括P型GaSb衬底和与P型GaSb衬底的背面接触的正负电极，所述P型GaSb衬底正面具有绒面结构且覆盖有Si₃N₄减反膜，所述P型GaSb衬底的背部通过热扩散形成有P+型扩散层和N+型扩散层。

2.根据权利要求1所述的IBC结构锑化镓热光伏电池，其特征在于，所述P型GaSb衬底的厚度为15μm～20μm。

3.根据权利要求1所述的IBC结构锑化镓热光伏电池，其特征在于，所述P型GaSb衬底和正负电极之间设有一层钝化层，所述正负电极贯穿钝化层与P型GaSb衬底背部的P+型扩散层、N+型扩散层接触。

4.根据权利要求1所述的IBC结构锑化镓热光伏电池，其特征在于，所述减反膜为Si₃N₄膜或Ta₂O₅膜，厚度为0.17μm～0.20μm。

5.根据权利要求1所述的IBC结构锑化镓热光伏电池，其特征在于，所述P+型扩散层的厚度为0.07μm～0.14μm，所述N+型扩散层的厚度为0.1μm～0.2μm。

6.根据权利要求3所述的IBC结构锑化镓热光伏电池，其特征在于，所述钝化层为SiO₂层或TiO₂层，厚度为0.08μm～0.15μm。

7.根据权利要求1或5所述的IBC结构锑化镓热光伏电池，其特征在于，所述P+型扩散层和N+型扩散层以叉指背的排布形式接触。