[实用新型]一种抗干扰电平转换电路

权利要求书

1.一种抗干扰电平转换电路，其翻转阈值在从高至低和从低至高不一样，其特征在于，所述抗干扰电平转换电路包括P型MOS管PM1、P型MOS管PM2、N型MOS管NM1、N型MOS管NM2、N型MOS管NM3、N型MOS管NM4和两个输入端反相器组成，P型MOS管PM1和P型MOS管PM2的源端连接VDDA，P型MOS管PM1和P型MOS管PM2的漏端连接N型MOS管NM1、N型MOS管NM2的漏端和N型MOS管NM3、N型MOS管NM4的源端，P型MOS管PM1和P型MOS管PM2的栅级分别连接P型MOS管PM2和P型MOS管PM1的漏端，形成一个正反馈的latch；N型MOS管NM1和N型MOS管NM2的源极接地，所述N型MOS管NM1和N型MOS管NM2的栅级分别接两个反相器的输出和N型MOS管NM3、N型MOS管NM4的漏极；两个反相器串联，第一级反相器的输入为整体电平转换电路的输入，输出接第二级反相器、N型MOS管NM2的栅极和N型MOS管NM3的漏极；第二级反相器输出接N型MOS管NM1的栅极和N型MOS管NM4的漏极，整体电路的输出为P型MOS管PM1、P型MOS管PM2的漏端，控制线CTL为N型MOS管NM3、N型MOS管NM4的栅级。

2.如权利要求1所述的一种抗干扰电平转换电路，其特征在于,所述翻转阈值从高至低和从低至高不一样,在输入从低变为高时，此时N型MOS管NM1和第一级反相器对NM2栅极和NM1漏极进行放电，当输入从高变为低时，由于N型MOS管NM3两端导通且均为低电平，并且此时只有第一级反向器对NM2栅极和NM1漏极进行充电，所以使得输出由高至低和由低至高的阈值不同。

3.如权利要求1所述的一种抗干扰电平转换电路，其特征在于，所述反相器电源使用低压域电源并且使用低压器件，其余器件均为高压器件，控制线CTL为低压域电源信号，VDDA为高压域电源。