[实用新型]一种实现沟槽与电极互联的功率器件版图结构

权利要求书

1.一种实现沟槽与电极互联的功率器件版图结构，包括衬底（00），所述衬底（00）的底部设置有注入层（01），其特征在于：所述衬底（00）的上部设置有发射极沟槽（03）与栅极沟槽（02），所述栅极沟槽（02）向外延伸，所述栅极沟槽（02）内直接开有用于与栅极相连接的第一接触孔（08），发射极沟槽（03）内直接开有与发射极相连的第二接触孔（07），所述第一接触孔（08）和第二接触孔（07）是通过同一张孔版经过掩膜刻蚀后形成的，所述第一接触孔（08）与第一金属层（05）相连，所述第二接触孔（07）与第二金属层（06）相连。

2.根据权利要求1所述的一种实现沟槽与电极互联的功率器件版图结构，其特征在于：所述第一接触孔（08）横向设置在栅极沟槽（02）中；第二接触孔（07）横向设置在发射极沟槽（03）中。

3.根据权利要求1所述的一种实现沟槽与电极互联的功率器件版图结构，其特征在于：所述第一接触孔（08）为竖向开孔，竖向设置的第一接触孔（08）穿过所有的栅极沟槽（02），且同一个第一接触孔（08）与所有的栅极沟槽（02）连通；与发射极沟槽（03）相连的第二接触孔（07）竖向开孔且穿过所有的发射极沟槽（03）并与所有的发射极沟槽（03）连通。

4.根据权利要求2或3所述的一种实现沟槽与电极互联的功率器件版图结构，其特征在于：所述发射极沟槽（03）之间设有形成发射区的N+区，所述栅极沟槽（02）之间也设有与发射极相连的第二接触孔（07）。

5.根据权利要求2或3所述的一种实现沟槽与电极互联的功率器件版图结构，其特征在于：所述栅极沟槽（02）相较于发射极沟槽（03）多延伸20um-30um。