[实用新型]电源模块的散热装置以及电源模块有效
申请号: | 202122903808.9 | 申请日: | 2021-11-19 |
公开(公告)号: | CN216451714U | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 程刚;郭华;首福俊;赵景清;肖军 | 申请(专利权)人: | 维谛技术有限公司 |
主分类号: | H05K7/20 | 分类号: | H05K7/20;H05K9/00 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 黄海英 |
地址: | 518055 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电源模块 散热 装置 以及 | ||
本实用新型公开了一种电源模块的散热装置以及电源模块。电源模块为自然冷却散热的电源模块,该电源模块的散热装置包括:散热部件,为电源模块的机壳的一部分,或设置在机壳内部并与机壳连接,其中,机壳的材质为金属,散热部件的材质为金属;隔离部件,隔离部件的一个面与散热部件接触,隔离部件的另一个面与电源模块内部的开关管接触,其中,隔离部件具有绝缘性能和导热性能,隔离部件的厚度大于等于2mm。通过本实用新型,增大隔离部件的厚度,减小了开关管与机壳之间形成的寄生电容的值,解决了相关技术中电源的开关管在工作过程中产生的EMI噪声通过散热器向外大量传播的问题。
技术领域
本实用新型涉及电源技术领域,具体而言,涉及一种电源模块的散热装置以及电源模块。
背景技术
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属-氧化层-半导体-场效应晶体管),是一种广泛使用在模拟电路与数字电路中的场效应晶体管,具体地,由于采用MOSFET实现开关功能,具有开关速度快、导通电阻低、驱动损耗小等特点,MOSFET成为现代开关电源中最常见的功率器件。
需要说明的是,MOSFET具有损耗,在使用过程中会发热,因此需要配备散热器,但是,由于MOSFET的开关速度快,在开关过程会产生宽频的EMI噪声(ElectromagneticInterference,电磁干扰),其中有一部分EMI噪声会通过MOSFET与散热器之间的寄生电容耦合到散热器上,并通过散热器以辐射和传导的方式对外传播,对其他设备产生干扰。
针对相关技术中电源的开关管在工作过程中产生的EMI噪声通过散热器向外大量传播的问题,目前尚未提出有效的解决方案。
实用新型内容
本实用新型提供一种电源模块,以解决相关技术中电源的开关管在工作过程中产生的EMI噪声通过散热器向外大量传播的问题。
根据本实用新型的一个方面,提供了一种电源模块的散热装置。该电源模块的散热装置包括:散热部件,为电源模块的机壳的一部分,或设置在机壳内部并与机壳连接,其中,机壳的材质为金属,散热部件的材质为金属;隔离部件,隔离部件的一个面与散热部件接触,隔离部件的另一个面与电源模块内部的开关管接触,其中,隔离部件具有绝缘性能和导热性能,隔离部件的厚度大于等于2mm。
可选地,电源模块为自然冷却散热的电源模块。
可选地,隔离部件的厚度在3mm和4mm之间。
可选地,开关管为场效应晶体管,场效应晶体管的漏极与隔离部件接触。
可选地,隔离部件的材料为陶瓷。
可选地,隔离部件的材料为硅胶。
根据本实用新型的另一个方面,还提供了一种电源模块,采用上述任意一项的散热装置为电源模块的开关管进行散热。
通过本实用新型,采用:散热部件,为电源模块的机壳的一部分,或设置在机壳内部并与机壳连接,其中,机壳的材质为金属,散热部件的材质为金属;隔离部件,隔离部件的一个面与散热部件接触,隔离部件的另一个面与电源模块内部的开关管接触,其中,隔离部件具有绝缘性能和导热性能,隔离部件的厚度大于等于2mm,解决了相关技术中电源的开关管在工作过程中产生的EMI噪声通过散热器向外大量传播的问题。通过隔离部件降低开关管和散热部件之间的寄生电容,进而达到了减少开关管在开关过程中向外传播的EMI噪声的效果。
附图说明
构成本实用新型的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解,本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中:
图1是根据本实用新型实施例提供的电源模块的散热装置示意图;
图2是根据相关技术提供的电源模块的EMI噪声的测试示意图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于维谛技术有限公司,未经维谛技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202122903808.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种实现沟槽与电极互联的功率器件版图结构
- 下一篇:一种自对准分离栅极结构