[实用新型]一种自对准分离栅极结构

权利要求书

1.一种自对准分离栅极结构，包括衬底（100），其特征在于：所述衬底（100）上方设置有第二导电类型（101），所述衬底（100）正面的上部设置有多根沟槽，且所述沟槽同时贯穿对应位置处的第二导电类型（101），所述沟槽底部设置有第一绝缘层（301），所述第一绝缘层（301）上方连接有第二绝缘层（302），所述第二绝缘层（302）突出于第二导电类型（101）顶部，所述第二绝缘层（302）的上方连接有宽度大于第二绝缘层（302）的第三绝缘层（303），在第二绝缘层（302）长度方向贯穿有与其长度一致的第一导电层（401），所述第三绝缘层（303）与第二导电类型（101）之间设置有第一导电类型（102）。

2.根据权利要求1所述的一种自对准分离栅极结构，其特征在于：在衬底（100）的侧面也设置有沟槽，在自对准分离栅极结构的外围形成闭环沟槽。

3.根据权利要求1所述的一种自对准分离栅极结构，其特征在于：所述第一导电层（401）为分裂栅极结构，分裂栅极之间通过第三绝缘层（303）隔离。

4.根据权利要求3所述的一种自对准分离栅极结构，其特征在于：所述分裂栅极结构独自或者组合连接外部的一个或者多个电极。

5.根据权利要求4所述的一种自对准分离栅极结构，其特征在于：所述电极包括栅极、发射极或者浮空。

6.根据权利要求1所述的一种自对准分离栅极结构，其特征在于：所述第一绝缘层（301）、第二绝缘层（302）和第三绝缘层（303）为氧化硅、氮化硅、氧化铝或氮化铝。