[实用新型]一种自对准沟槽栅结构IGBT有效
| 申请号： | 202122903860.4 | 申请日： | 2021-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN216450649U | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 胡强;唐茂森;马克强;王思亮;蒋兴莉 | 申请（专利权）人： | 成都森未科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/417 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 苏丹 |
| 地址： | 610000 四川省成都市中国（四川）自由贸*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 对准 沟槽 结构 igbt | ||
1.一种自对准沟槽栅结构IGBT，包括衬底（100），其特征在于：所述衬底（100）正面上方设置有第二导电类型层a（101），所述衬底（100）上部设置有多根沟槽，且所述沟槽同时贯穿对应位置处的第二导电类型层a（101），所述沟槽内设置有第一绝缘介质层（302），所述第一绝缘介质层（302）内设置有第一导电层（201），且所述第一导电层（201）与第一绝缘介质层（302）顶部齐平，所述第一绝缘介质层（302）顶部设置有宽度大于第一绝缘介质层（302）的第二绝缘介质层（303），第二绝缘介质层（303）的中部设置有第三绝缘介质层（401），且第三绝缘介质层（401）的宽度与第一导电层（201）的宽度相同，所述第二导电类型层a（101）上部各沟槽之间设置有第二导电类型层b（103），所述第二绝缘介质层（303）与第二导电类型层b（103）之间设置有第一导电类型层（102）。
2.根据权利要求1所述的一种自对准沟槽栅结构IGBT，其特征在于：在衬底（100）的侧面设置有闭合的沟槽结构。
3.根据权利要求1所述的一种自对准沟槽栅结构IGBT，其特征在于：所述第三绝缘介质层（401）采用自对准工艺形成于沟槽栅顶部。
4.根据权利要求1所述的一种自对准沟槽栅结构IGBT，其特征在于：第三绝缘介质层（401）和第二绝缘介质层（303）是两种不同的绝缘层材料，将沟槽内的第一导电层（201）和沟槽外的第二导电层隔离开。
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