[实用新型]一种降低击穿风险的功率器件版图结构

权利要求书

1.一种降低击穿风险的功率器件版图结构，其特征在于：包括经过掩膜刻蚀后形成条形状图形的沟槽版（01），每个沟槽版（01）中间设置有重掺杂N型区域（03），每个重掺杂N型区域（03）的中间设有与发射极相连的发射极孔版（02）；沟槽版（01）、重掺杂N型区域（03）和发射极孔版（02）共同构成了功率器件的有源区，所述沟槽版（01）与其外部的多晶版（05）相连，栅极孔版（04）位于所述多晶版（05）上，在版图的角落区域设置为多晶版（05），所述多晶版（05）阻隔有源区进入版图的扇形角落区域。

2.根据权利要求1所述的一种降低击穿风险的功率器件版图结构，其特征在于：所述沟槽版（01）呈长条形分布。

3.根据权利要求1所述的一种降低击穿风险的功率器件版图结构，其特征在于：所述重掺杂N型区域（03）分布在被区域化的有源区内部，所述区域化是指有沟道的区域。

4.根据权利要求3所述的一种降低击穿风险的功率器件版图结构，其特征在于：连接沟槽版（01）的多晶形貌将版图的四个扇形角落区域全部覆盖。

5.根据权利要求1所述的一种降低击穿风险的功率器件版图结构，其特征在于：所述多晶版（05）对沟槽版（01）的引出为向下凸起的柱状图形形貌将沟槽来实现，所述柱状图形内设置有栅极孔版（04），其未被有源区覆盖的四个扇形角落区域则通过发射极孔版（02）与发射极相连。

6.根据权利要求5所述的一种降低击穿风险的功率器件版图结构，其特征在于：所述多晶版（05）从版图的扇形角落区域向内部延伸的距离与扇形角落区域的扇形半径一致。

7. 根据权利要求6所述的一种降低击穿风险的功率器件版图结构，其特征在于：所述多晶版（05）从版图的扇形角落区域向内部延伸的距离为100 um -300um。