[实用新型]承载组件以及晶圆生产设备有效
申请号: | 202122910149.1 | 申请日: | 2021-11-24 |
公开(公告)号: | CN217334051U | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 王乐 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67;H01J37/32 |
代理公司: | 北京恒博知识产权代理有限公司 11528 | 代理人: | 张琦 |
地址: | 430205 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 承载 组件 以及 生产 设备 | ||
1.一种承载组件,其特征在于,包括:
承载件;
保护件,套设于所述承载件至少部分上;
连接件,连接所述承载件以及所述保护件,所述承载件周向上的各个位置与所述保护件之间在所述承载件的径向上留有间隙。
2.如权利要求1所述的承载组件,其特征在于,所述连接件设置为连接杆。
3.如权利要求2所述的承载组件,其特征在于,所述连接杆的数量为两个,沿所述承载件的周向,两个所述连接杆间隔设置;或者
所述连接杆的数量为三个以上,沿所述承载件的周向,三个以上所述连接杆间隔设置。
4.如权利要求2所述的承载组件,其特征在于,所述承载件上开设有第一连接孔,所述保护件上开设有第二连接孔;
所述连接杆的一端插接于所述第一连接孔内,所述连接杆的另一端插接于所述第二连接孔内。
5.如权利要求4所述的承载组件,其特征在于,
所述连接杆的两端分别与所述第一连接孔的孔壁和第二连接孔的孔壁之间留有间隙;或者
所述连接杆一端与所述第一连接孔的孔壁之间留有间隙,且所述连接杆另一端与所述第二连接孔过盈配合;或者
所述连接杆的两端分别与所述第一连接孔的孔壁以及所述第二连接孔的孔壁过盈配合。
6.如权利要求2所述的承载组件,其特征在于,所述保护件或所述承载件中的其中一者上开设有第三连接孔,所述连接杆包括:
凸设部,凸设于该所述保护件或所述承载件中的另一者,所述凸设部处于所述第三连接孔内。
7.如权利要求2-6任一所述的承载组件,其特征在于,所述承载件包括:
主体部,经由所述连接杆连接所述保护件;
凸出部,所述凸出部靠近所述主体部一侧与所述主体部靠近所述凸出部一侧共面设置,且凸设于所述主体部一侧;
其中,所述保护件套设于所述凸出部,且沿所述主体部的轴线方向,所述保护件的外边缘在主体部上的正投影与所述主体部的外边缘重合,所述凸出部的周向上的各个位置与所述保护件的内边缘之间在所述承载件的径向留有间隙。
8.如权利要求7所述的承载组件,其特征在于,还包括:
位置调节件,可滑动套设于所述主体部外周;
磁场调节件,位于所述保护件远离所述主体部一侧,且与所述位置调节件固定连接。
9.如权利要求8所述的承载组件,其特征在于,还包括:
限位件,绕设于所述位置调节件外侧,且与所述主体部之间形成滑道,所述位置调节件可滑动设于所述滑道内。
10.如权利要求9所述的承载组件,其特征在于,所述保护件上开设有第一限位槽,沿所述承载件的轴线方向,所述第一限位槽于所述保护件远离所述主体部一侧形成第一开口,沿所述承载件的径向,所述第一限位槽于所述保护件远离所述凸出部一侧形成第二开口,所述第一开口连通所述第二开口,至少部分所述磁场调节件处于所述第一限位槽内;
所述限位件上开设有第二限位槽,沿所述承载件的轴向方向,所述第二限位槽于所述限位件远离所述主体部一侧形成第三开口,沿所述承载件的径向,所述第二限位槽于所述限位件靠近所述凸出部一侧形成第四开口,所述第三开口连通所述第四开口,至少部分所述磁场调节件处于所述第二限位槽内;
其中,沿所述承载件的轴线方向,所述第一限位槽靠近所述主体部的侧壁平齐于所述第二限位槽靠近主体部的侧壁。
11.一种晶圆生产设备,其特征在于,所述晶圆生产设备包括:
壳体;
如权利要求1-10任一项所述的承载组件,所述承载组件设置于所述壳体内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造