[实用新型]一种用于POE PD接口的MOS管整流电路

权利要求书

1.一种用于POE PD接口的MOS管整流电路，其组成包括:交流电ac1，其特征是:所述的交流电ac1连接正半周电流路径和负半周电流路径，所述的正半周电流路径包括MOS管Q3，所述的MOS管Q3连接所述的交流电ac1，所述的MOS管Q3连接电阻R，所述的电阻R连接MOS管Q2，所述的MOS管Q2连接交流电ac2，所述的正半周电流路径包括所述的交流电ac2，所述的交流电ac2连接MOS管Q4，所述的MOS管Q4连接所述的MOS管Q3，所述的MOS管Q2连接MOS管Q1，所述的MOS管Q1连接所述的交流电ac1。

2.根据权利要求1所述的一种用于POE PD接口的MOS管整流电路，其特征是:所述的交流电ac1连接磁珠FB1，所述的磁珠FB1连接所述的MOS管Q1，所述的MOS管Q1连接电容C3，所述的电容C3连接稳压二极管VD3，所述的稳压二极管VD3连接电容C4，所述的电容C4连接稳压二极管VD4，所述的稳压二极管VD4连接所述的MOS管Q3，所述的MOS管Q3连接负载电阻R-load，所述的负载电阻R-load连接负载电容C-load，所述的负载电容C-load连接磁珠FB4，所述的磁珠FB4连接所述的交流电ac2。

3.根据权利要求2所述的一种用于POE PD接口的MOS管整流电路，其特征是:所述的交流电ac2通过所述的磁珠FB4连接磁珠FB3，所述的磁珠FB3连接所述的MOS管Q3，所述的磁珠FB3连接所述的负载电容C-load，所述的负载电容C-load连接MOS管Q4，所述的MOS管Q4连接稳压二极管VD2，所述的稳压二极管VD2连接电容C2，所述的电容C2连接电阻R4，所述的电阻R4连接电阻R3，所述的电阻R3连接所述的交流电ac2，所述的电阻R4连接电阻R2，所述的电阻R2连接电阻R1，所述的电阻R1连接所述的交流电ac2，所述的电阻R2连接电容C1，所述的电容C1连接稳压二极管VD1，所述的稳压二极管VD1连接MOS管Q2，所述的MOS管Q2连接磁珠FB2，所述的磁珠FB2连接所述的交流电ac1，所述的电阻R3连接所述的交流电ac1。