[实用新型]一种12英寸分立器件上芯机有效
| 申请号： | 202122949842.X | 申请日： | 2021-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN216528803U | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 金成;徐公录;常皓明 | 申请（专利权）人： | 深圳新控半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L21/67 |
| 代理公司： | 广东中禾共赢知识产权代理事务所(普通合伙) 44699 | 代理人： | 苗昂 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光明区马田街道薯田埔*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 12 英寸 分立 器件 上芯机 | ||
【权利要求书】：
1.一种12英寸分立器件上芯机，包括机架(1)，其特征在于：所述机架(1)的左侧设置有上料机构(2)，所述机架(1)的正面设置有加热轨道(3)，所述机架(1)的正面设置有点锡压膜机构(4)，所述机架(1)的正面设置有芯片吸取机构(5)，所述机架(1)的顶部设置有晶圆移动平台(6)，所述晶圆移动平台(6)的内部设置有直线顶针机构(7)，所述机架(1)的右侧设置有下料机构(8)，所述机架(1)的顶部设置有晶圆上下料机构(9)。
2.根据权利要求1所述的一种12英寸分立器件上芯机，其特征在于：所述上料机构(2)位于加热轨道(3)的正左侧，所述上料机构(2)的右侧与加热轨道(3)的左侧连接，所述下料机构(8)的左侧与加热轨道(3)的右侧连接。
3.根据权利要求1所述的一种12英寸分立器件上芯机，其特征在于：所述点锡压膜机构(4)位于加热轨道(3)的正上方。
4.根据权利要求1所述的一种12英寸分立器件上芯机，其特征在于：所述芯片吸取机构(5)位于点锡压膜机构(4)的右侧，所述芯片吸取机构(5)位于直线顶针机构(7)的上方。
5.根据权利要求1所述的一种12英寸分立器件上芯机，其特征在于：所述晶圆上下料机构(9)位于晶圆移动平台(6)的正前方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳新控半导体技术有限公司，未经深圳新控半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202122949842.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种改进的湖水水位自动循环调节装置
- 下一篇：一种肿瘤放疗体位固定装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
