[实用新型]封装结构

说明书

本实用新型公开了一种封装结构，包括：封装芯片；以及位于所述封装芯片的外部表面的散热结构，其中，所述封装芯片被封装材料完全包封或者部分包封，所述散热结构完全被所述封装材料裸露。本实用新型的封装结构在不改变现有的封装芯片的工艺基础上，在封装芯片上固定散热结构，以提高封装芯片的散热能力。

技术领域

本实用新型涉及芯片封装技术领域，尤其涉及一种封装结构。

背景技术

功率管理芯片长期受散热能力限制功率密度及变换效率的进一步提升，当前的功率管理芯片散热大多依赖封装管脚和PCB电路板之间的低热阻连接实现热量传导，部分特殊耗电芯片还会额外再芯片封装外部贴装散热器加强封装到空气之间的散热效果，部分复杂封装采用内部导热材料向封装外裸露实现内部芯片热量向空气或PCB电路板等外部环境传递。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提出一种封装结构，以在不改变现有的封装芯片的工艺上，增加芯片的散热能力。

根据本实用新型的第一方面，提出一种封装结构，包括：封装芯片；位于所述封装芯片的外部表面的散热结构，其中，所述封装芯片被封装材料完全包封或者部分包封，所述散热结构完全被所述封装材料裸露。

优选地，所述散热结构与所述封装芯片的外部表面通过烧结工艺连接。

优选地，所述散热结构为低热阻材料。

优选地，所述散热结构为一体结构。

优选地，所述散热结构为分离结构。

优选地，所述散热结构的高度小于等于1.5mm。

优选地，所述散热结构为金属或陶瓷材料。

优选地，所述封装芯片中的裸芯片完全被所述封装材料包封。

优选地，至少所述封装芯片中的裸芯片的背面被所述封装材料裸露，所述裸芯片的背面与所述裸芯片的有源面相对。

优选地，所述散热结构至少位于所述裸芯片背面上。

优选地，所述散热结构裸露的外表面积越大，所述散热效果越好。

优选地，所述散热结构固定于所述封装芯片的至少一表面上。

优选地，所述封装芯片包括：裸芯片；位于所述裸芯片有源面的电极焊盘；封装材料，用于包封所述裸芯片以及所述电极焊盘；以及管脚，位于所述封装材料的下表面，与所述电极焊盘电连接。

本实用新型公开了一种封装结构，包括：封装芯片；以及位于所述封装芯片的外部表面的散热结构，其中，所述封装芯片被封装材料完全包封或者部分包封，所述散热结构完全被所述封装材料裸露。本实用新型的形成封装结构方法在不改变现有的封装芯片的工艺或部分调整现有的封装芯片的工艺的基础上，在封装芯片上固定散热结构，以提高封装芯片的散热能力。

附图说明

图1a-1f为本实用新型的包括几种不同散热结构的封装结构的结构图；

图2a-2c为本实用新型几种不同的封装芯片的截面图。

具体实施方式

以下将参照附图更详细地描述本实用新型。在各个附图中，相同的组成部分采用类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。此外，可能未示出某些公知的部分。为了简明起见，可以在一幅图中描述经过数个步骤后获得的结构。在下文中描述了本实用新型的许多特定的细节，例如每个组成部分的结构、材料、尺寸、处理工艺和技术，以便更清楚地理解本实用新型。但正如本领域的技术人员能够理解的那样，可以不按照这些特定的细节来实现本实用新型。