[实用新型]半导体存储装置有效
| 申请号： | 202123011925.0 | 申请日： | 2021-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN217114391U | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 叶长福;陈旋旋;上官明沁;冯立伟 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
1.一种半导体存储装置，其特征在于，包括：
衬底，上表面形成有接触窗，内部形成有有源区，所述有源区暴露于所述接触窗；
阻挡层，位于所述衬底上表面；
衬垫，位于所述接触窗内，上表面高于所述阻挡层的上表面，且所述衬垫并与所述接触窗暴露的有源区相接触，且所述衬垫至少包括第一材料层，以及位于所述第一材料层之上的第二材料层。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第二材料层的最下表面低于所述第一材料层的最上表面。
3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第一材料层的上表面有凹陷处。
4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第一材料层包括具有掺杂离子的非晶硅层以及掺磷硅层中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第二材料层包括具有掺杂离子的掺磷硅层或硅层中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第一材料层与第二材料层均具有掺杂离子，且所述第一材料层与第二材料层的掺杂离子浓度不同。
7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第一材料层与第二材料层均具有掺杂离子，且所述第一材料层与第二材料层的掺杂离子种类不同。
8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述阻挡层包括位于所述衬底上表面的第一绝缘层以及位于第一绝缘层上表面的第二绝缘层。
9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其特征在于，所述阻挡层还包括位于所述第二绝缘层上表面的第三绝缘层，以及位于所述第三绝缘层上表面的第一导电层。
10.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第一导电层、第一材料层与第二材料层具有掺杂离子，且所述第一导电层、第一材料层与第二材料层的掺杂离子浓度不同。
11.根据权利要求4、5、6、7、10中任一项所述的半导体存储装置，其特征在于，所述掺杂离子为Si离子束、C离子束、Ge离子束、As离子束以及Sb离子束、P离子束中的一种。
12.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第二材料层的最下表面高于所述衬底的最上表面。
13.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，第一材料层的最上表面高于所述衬底的最上表面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
