[实用新型]一种吸嘴结构

说明书

本申请公开了一种吸嘴结构，涉及芯片焊锡加工设备技术领域，包括用于固定芯片的主体，主体一侧设置有压合区，压合区与芯片之间采用内嵌式安装，主体的内部开设有排气槽，且排气槽的外部周围设置有围栏，主体的外部还安装有外围围栏，外围围栏的尺寸大于围栏，且围栏位于外围围栏的内侧。本申请所述吸嘴结构通过设计有外围围栏，吸嘴压覆时锡材料溢出至结合区域外围即芯片与引线框结合区域，提升了芯片中间层锡的厚度，且通过在排气槽周围设计有围栏，防止锡材料溢出至外围，且采用内嵌式安装芯片，压合区内嵌芯片可防止锡材料溢出至芯片表面。

技术领域

本申请涉及芯片焊锡加工设备技术领域，尤其是涉及一种吸嘴结构。

背景技术

在半导体装置的制造工序过程中，芯片与引线框通过焊锡结合，需要利用吸嘴压覆，将焊锡压成均匀的厚度和形状，然后将芯片贴在焊锡上再进行焊接。由于锡材料中存在水分，采用实心吸嘴压覆，在焊接过程中很难从引线框与芯片中间排出，容易导致焊接空洞问题。

实用新型内容

为了改善上述提到的问题，本实用新型提供一种吸嘴结构。

本实用新型提供一种吸嘴结构，采用如下的技术方案：一种吸嘴结构，包括用于固定芯片的主体，所述主体一侧设置有压合区，所述主体的内部开设有排气槽，且所述排气槽的外部周围设置有围栏，所述主体的外部还安装有外围围栏。

基于上述技术特征：本吸嘴结构通过设计有外围围栏，吸嘴压覆时锡材料溢出至结合区域外围即芯片与引线框结合区域，提升了芯片中间层锡的厚度，且通过在排气槽周围设计有围栏，防止锡材料溢出至外围，且采用内嵌式安装芯片，压合区内嵌芯片可防止锡材料溢出至芯片表面。

作为本实用新型所述吸嘴结构的一种优选方案，其中：所述主体采用镂空式结构。

基于上述技术特征：可利用主体对锡材料进行吸嘴压覆，且提高有利于提高对芯片的真空吸附力。

作为本实用新型所述吸嘴结构的一种优选方案，其中：所述排气槽对称开设有6组，且排气槽的外侧设计有围栏。

基于上述技术特征：围栏可防止锡材料溢出至外围。

作为本实用新型所述吸嘴结构的一种优选方案，其中：所述外围围栏的尺寸大于围栏，且所述围栏位于外围围栏的内侧。

基于上述技术特征：外围围栏可用于吸嘴压覆时锡材料溢出至结合区域外围即芯片与引线框结合区域，提升了芯片中间层锡的厚度。

作为本实用新型所述吸嘴结构的一种优选方案，其中：所述压合区与芯片之间采用内嵌式安装。

基于上述技术特征：压合区内嵌芯片可防止锡材料溢出至芯片表面。

作为本实用新型所述吸嘴结构的一种优选方案，其中：所述排气槽的内侧连通压合区。

基于上述技术特征：锡材料在压覆过程中内部的水分可通过排气槽向外排出。

综上所述，本实用新型包括以下至少一种有益效果：

1.通过设计外围围栏，吸嘴压覆时锡材料可溢出至结合区域外围即芯片与引线框结合区域，提升了芯片中间层锡的厚度；

2.通过将围栏设计在排气槽的周围，可防止锡材料溢出至外围；

3.通过采用压合区内嵌式安装芯片的方式，在压覆区域内可防止锡材料溢出至芯片的表面。

附图说明

图1是本实用新型的整体结构图；

图2是本实用新型的仰视图；

图3是本实用新型的侧视图。

附图标记说明：