[实用新型]一种钙钛矿/钙钛矿/硅-锗基三结叠层太阳能电池有效
| 申请号： | 202123058168.2 | 申请日： | 2021-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN217182188U | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 陈炜;胡晓东;蒋昭毅 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L27/30 | 分类号： | H01L27/30;H01L31/075;H01L31/076;H01L51/42 |
| 代理公司： | 杭州宇信联合知识产权代理有限公司 33401 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 436044 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 钙钛矿 锗基三结叠层 太阳能电池 | ||
1.一种钙钛矿/钙钛矿/硅-锗基三结叠层太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括依次层叠的背电极、硅-锗底电池、窄带隙钙钛矿电池、宽带隙钙钛矿电池和上电极，所述宽带隙钙钛矿顶电池、所述窄带隙钙钛矿电池和所述硅-锗底电池为串联设置，所述宽带隙钙钛矿电池与所述窄带隙钙钛矿电池通过第一隧穿结连接，所述窄带隙钙钛矿电池与所述硅-锗底电池通过第二隧穿结连接。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述硅-锗底电池包括依次层叠的第一掺杂层、本征层和第二掺杂层，所述本征层为硅锗合金层，所述本征层的厚度为400~600nm，所述本征层的带隙是0.67～1.12eV。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂层和第二掺杂层分别为P型层和N型层，或N型层和P型层；所述第一掺杂层的厚度为30~60nm，所述第二掺杂层的厚度为30~60nm。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述宽带隙钙钛矿太阳能电池包括依次层叠的上电极、第一载流子传输层、宽带隙钙钛矿光吸收层和第二载流子传输层，所述宽带隙钙钛矿光吸收层的带隙范围为1.7～2.1eV。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述窄带隙钙钛矿太阳能电池包括依次层叠的第三载流子传输层、窄带隙钙钛矿光吸收层和第四载流子传输层，所述窄带隙钙钛矿光吸收层的带隙范围是1.2～1.8eV。
6.根据权利要求1~5任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一隧穿结为致密层，所述致密层为N型半导体材料层或P型半导体材料层。
7.根据权利要求1~5任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二隧穿结为金属氧化物层，所述金属氧化物层为氧化锡层、氧化钛层、氧化锌层、氧化铟锡层中的一种。
8.根据权利要求1~5任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一隧穿结的厚度为20nm至300nm，第二隧穿结的厚度为20nm至300nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学，未经华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202123058168.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种五金生产研磨用磨盘
- 下一篇：一种中间球轴承结构的转向器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
