[实用新型]一种低温离子阱系统有效

专利信息
申请号: 202123065262.0 申请日: 2021-12-08
公开(公告)号: CN216288304U 公开(公告)日: 2022-04-12
发明(设计)人: 苏东波;郑晨光;周卓俊;黄毛毛;韩琢;罗乐 申请(专利权)人: 国开启科量子技术(北京)有限公司;广东启科量子信息技术研究院有限公司
主分类号: H01J49/10 分类号: H01J49/10;G06N10/00;G21K1/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100193 北京市海淀区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 低温 离子 系统
【权利要求书】:

1.一种低温离子阱系统,其特征在于,包括:底座、原子发生器、离子阱装置及盖板,所述离子阱装置罩装于所述底座,所述盖板封装所述离子阱装置,所述原子发生器安装在所述底座并与所述离子阱装置同轴;所述原子发生器具备用于原子发射的发射口,所述发射口正对所述离子阱装置的囚禁通道;所述离子阱装置产生囚禁电场,所述囚禁电场电离原子并将离子囚禁在所述囚禁通道。

2.如权利要求1所述的低温离子阱系统,其特征在于,所述原子发生器包括壳体以及安装在所述壳体内的原子源及加热器;所述发射口设置于所述壳体的一端,另一端通过封板封装;所述加热器加热所述原子源激发所述原子源发出原子,原子通过所述发射口射出所述壳体。

3.如权利要求2所述的低温离子阱系统,其特征在于,所述加热器具备接线柱,所述加热器通过所述接线柱连接到电源。

4.如权利要求2所述的低温离子阱系统,其特征在于,所述原子源采用钙、铯、铍及镱中的一种或多种金属制造。

5.如权利要求4所述的低温离子阱系统,其特征在于,所述原子源形成为柱体状。

6.如权利要求1所述的低温离子阱系统,其特征在于,所述离子阱装置具备阱壳体,所述阱壳体设置若干激光窗口,所述激光窗口用于激光进入所述阱壳体内部;所述阱壳体内部设置若干刀片架,所述刀片架相间地安装第一刀片及第二刀片;所述第一刀片连接到直流电源,所述第二刀片连接到射频信号,所述第一刀片及所述第二刀片合围形成所述囚禁通道。

7.如权利要求6所述的低温离子阱系统,其特征在于,所述激光窗口配置光学窗片,所述光学窗片采用熔融石英制造,所述光学窗片贴附增透膜。

8.如权利要求6所述的低温离子阱系统,其特征在于,所述第一刀片及所述第二刀片均采用陶瓷制造,表面镀导体层,所述导体层形成若干独立的极片,所述极片连接到所述直流电源或所述射频信号。

9.如权利要求8所述的低温离子阱系统,其特征在于,所述第一刀片及所述第二刀片的刀刃侧设置若干通槽。

10.如权利要求8所述的低温离子阱系统,其特征在于,所述第一刀片的前端配置滤波电容,所述滤波电容附着于所述刀片架,所述滤波电容的输出端连接所述第一刀片,所述滤波电容的输入端连接所述直流电源。

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