[实用新型]一种用于抑制无刷电机电磁干扰的电路有效
申请号: | 202123067146.2 | 申请日: | 2021-12-08 |
公开(公告)号: | CN216794794U | 公开(公告)日: | 2022-06-21 |
发明(设计)人: | 王韬;饶本欣;张眙;黄理;孙亮亮 | 申请(专利权)人: | 浙江三锋实业股份有限公司;嘉兴市蓝盛电子科技有限公司 |
主分类号: | H02K11/02 | 分类号: | H02K11/02 |
代理公司: | 嘉兴华申知识产权代理事务所(普通合伙) 33454 | 代理人: | 徐桂红 |
地址: | 321300 浙江省金*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 抑制 电机 电磁 干扰 电路 | ||
本实用新型公开了一种用于抑制无刷电机电磁干扰的电路,属于无刷电机EMI抑制领域,包括BLDC控制器,所述BLDC控制器包括第一片式多层陶瓷电容器C1、第二片式多层陶瓷电容器C2和第三片式多层陶瓷电容器C3,所述第一片式多层陶瓷电容器C1、第二片式多层陶瓷电容器C2和第三片式多层陶瓷电容器C3的一端公共连接,所述第一片式多层陶瓷电容器C1、第二片式多层陶瓷电容器C2和第三片式多层陶瓷电容器C3的另一端分别与BLDC电机的U、V、W三相供电端电性连接,所述BLDC电机的输出轴与发射天线传动连接,从而抑制无刷电机EMI空间辐射发射,使BLDC电机系统的辐射发射符合标准要求,且体积小、成本低、具有很好的目标针对性。
技术领域
本实用新型涉及无刷电机EMI抑制技术领域,具体为一种用于抑制无刷电机电磁干扰的电路。
背景技术
近年来,社会发展快速,与面向欧洲方向出口的回暖,对电子电器产品有越来越严格的EMI抑制需求。目前直流无刷电机的EMI抑制方式,主要通过限制功率MOS的开关速度,与在能量回路增加共模扼流圈来实现降低空间辐射发射的作用。
然而,限制MOSFET开关速度的方式,会带来更大的发热,在大电流的应用中这个局限性表现得更为明显;增加共模扼流圈的方式会比较大的引起成本上升,体积增大,导致工艺复杂。而最大的问题是,在工程实践中,有时候即使最大限度的用到上述两种技术,也不能解决空间辐射发射超标的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种用于抑制无刷电机电磁干扰的电路,以解决上述背景技术中提出的现有无刷电机电动系统的EMI空间辐射发射超标的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种用于抑制无刷电机电磁干扰的电路,包括BLDC控制器,所述BLDC控制器包括第一片式多层陶瓷电容器C1、第二片式多层陶瓷电容器C2和第三片式多层陶瓷电容器C3,所述第一片式多层陶瓷电容器C1、第二片式多层陶瓷电容器C2和第三片式多层陶瓷电容器C3的一端公共连接,所述第一片式多层陶瓷电容器C1、第二片式多层陶瓷电容器C2和第三片式多层陶瓷电容器C3的另一端分别与BLDC电机的U、V、W三相供电端电性连接,所述BLDC电机的输出轴与发射天线传动连接。
优选的,所述发射天线包括金属空心杆、轴承、金属传动轴和工作头,所述BLDC电机的输出轴与金属传动轴的一端固定安装,所述金属传动轴的另一端固定安装有工作头。
优选的,所述第一片式多层陶瓷电容器C1、第二片式多层陶瓷电容器C2和第三片式多层陶瓷电容器C3的一端连接组成中性点N端,所述中性点N端连接到金属空心杆的侧壁上。
优选的,所述第一片式多层陶瓷电容器C1、第二片式多层陶瓷电容器C2、第三片式多层陶瓷电容器C3和金属空心杆共同组成Y形滤波网络。
优选的,所述金属空心杆的内部固定安装有轴承,所述轴承的内部固定安装有金属传动轴,所述金属传动轴通过轴承与金属空心杆的内部转动连接。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
本实用新型提供一种用于抑制无刷电机电磁干扰的电路,通过在无刷电机电动系统中的BLDC控制器中使用了三颗片式多层陶瓷电容器,通过第一片式多层陶瓷电容器C1、第二片式多层陶瓷电容器C2和第三片式多层陶瓷电容器C3共同构成一个Y形滤波网络,并通过第一片式多层陶瓷电容器C1、第二片式多层陶瓷电容器C2和第三片式多层陶瓷电容器C3的枝端分别与BLDC电机的U、V、W相连接。
另外使第一片式多层陶瓷电容器C1、第二片式多层陶瓷电容器C2和第三片式多层陶瓷电容器C3的中性点连接在在电机外壳或者金属传动轴上,从而对三相线之间,以及三相线与电机轴之间实现高频滤波。根据天线发射的原理,所以对于金属输出轴特别长,构成发射天线的BLDC系统,从而抑制无刷电机EMI空间辐射发射,使BLDC电机系统的辐射发射符合标准要求,且体积小、成本低、具有很好的目标针对性。
附图说明
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