[实用新型]一种半导体清洗改良装置有效
申请号: | 202123069982.4 | 申请日: | 2021-12-08 |
公开(公告)号: | CN216487971U | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
发明(设计)人: | 康凯;陈旺;康威;覃伯成 | 申请(专利权)人: | 深圳迪道微电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 南京苏创专利代理事务所(普通合伙) 32273 | 代理人: | 王华 |
地址: | 518000 广东省深圳市坪山区坪*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 清洗 改良 装置 | ||
1.一种半导体清洗改良装置,其特征在于:包括清洗槽(7)和设置在清洗槽(7)内的硅片夹(2),所述清洗槽(7)底部外接有进液管路(8),所述清洗槽(7)侧壁外接有溢流管路(9),
所述硅片夹(2)内侧沿竖直方向并列设置有若干支架(6),所述支架(6)上均垂直清洗槽(7)内壁延伸出若干横梁(4),水平方向相邻横梁(4)之间距离大于硅片(5)厚度,所述横梁(4)沿竖直方向对齐形成若干纵列,相邻纵列的横梁(4)之间形成纵向空间,硅片(5)放置在纵向空间内。
2.根据权利要求1所述的半导体清洗改良装置,其特征在于:所述硅片夹(2)顶部设置有轴套(1),轴套(1)中固定有伸缩杆(11),所述伸缩杆(11)另一端连接有伸缩马达(10)。
3.根据权利要求1所述的半导体清洗改良装置,其特征在于:所述清洗槽(7)内壁还设置有液位感知器(3),所述液位感知器(3)的高度大于溢流管路(9)管口高度。
4.根据权利要求1所述的半导体清洗改良装置,其特征在于:所述支架(6)和横梁(4)设置在硅片夹(2)的一个侧面。
5.根据权利要求1所述的半导体清洗改良装置,其特征在于:所述支架(6)和横梁(4)在硅片夹(2)的一组相对内侧对称设置,所述横梁(4)的长度一致,且小于硅片夹(2)宽度的一半。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造