[实用新型]一种原子层沉积设备有效
申请号: | 202123083824.4 | 申请日: | 2021-12-09 |
公开(公告)号: | CN216891209U | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
发明(设计)人: | 戴虹;陆勇;朱家宽;胡海明;张开江;庄志金 | 申请(专利权)人: | 理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52 |
代理公司: | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人: | 黄海霞 |
地址: | 201620 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 原子 沉积 设备 | ||
1.一种原子层沉积设备,其特征在于,包括:
旋转基座,用于承载基片;
第一气流板和第二气流板,所述第一气流板与所述第二气流板堆叠设置;
所述第一气流板包括凹槽部和设置于凹槽部内的供气口,所述凹槽部包括自所述第一气流板中心向边缘呈扇形放射状延伸的沟槽,使所述凹槽部的内表面与所述第二气流板的表面围成送气腔体;
所述第二气流板上设置有与所述凹槽部位置相对的送气口,用于将反应气体通过所述送气口输送至所述旋转基座;
供气管道,所述供气管道连接所述供气口,用于提供气体。
2.根据权利要求1所述的原子层沉积设备,其特征在于,所述凹槽部的个数为4N,N为正整数。
3.根据权利要求2所述的原子层沉积设备,其特征在于,4N个所述凹槽部的内表面与所述第二气流板的表面围成4N个送气腔体。
4.根据权利要求3所述的原子层沉积设备,其特征在于,4N个所述送气腔体包括N个第一前驱体腔体、N个第二前驱体腔体和2N个冲洗气体腔体,所述冲洗气体腔体设置在圆周方向上相邻的第一前驱体腔体和第二前驱体腔体之间。
5.根据权利要求4所述的原子层沉积设备,其特征在于,所述供气管道包括第一前驱体管道、第二前驱体管道、冲洗气体管道,所述第一前驱体管道与所述第一前驱体腔体内部相通,所述第二前驱体管道与所述第二前驱体腔体内部相通,所述冲洗气体管道与所述冲洗气体腔体内部相通。
6.根据权利要求5所述的原子层沉积设备,其特征在于,还包括分流组件,所述分流组件包括分气腔体,所述分气腔体的两端连通所述冲洗气体管道和若干个所述冲洗气体腔体。
7.根据权利要求6所述的原子层沉积设备,其特征在于,所述分流组件还包括设置于所述分气腔体内并连通所述冲洗气体管道的环形分气件,所述环形分气件包括圆形侧壁和分布于环形侧壁上的分气开口。
8.根据权利要求1所述的原子层沉积设备,其特征在于,所述送气口包括自所述第二气流板中心向边缘延伸的条形开口。
9.根据权利要求8所述的原子层沉积设备,其特征在于,所述第二气流板包括自所述第二气流板中心向边缘延伸的送气沟槽,所述送气口设置于所述送气沟槽内。
10.根据权利要求1所述的原子层沉积设备,其特征在于,所述沟槽的宽度在长度方向延伸的过程中逐渐增大。
11.根据权利要求10所述的原子层沉积设备,其特征在于,所述凹槽部包括弧形槽,所述弧形槽设置于所述供气口位置处,并使所述沟槽之间相互连通。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的