[实用新型]一种超高温测井中的存储装置有效

专利信息
申请号: 202123104441.0 申请日: 2021-12-12
公开(公告)号: CN217655670U 公开(公告)日: 2022-10-25
发明(设计)人: 晋永路;王文新;李少华;邓伟杰;王汉彬 申请(专利权)人: 中国电波传播研究所(中国电子科技集团公司第二十二研究所)
主分类号: G11B33/14 分类号: G11B33/14;G06F13/42
代理公司: 青岛博雅知识产权代理事务所(普通合伙) 37317 代理人: 韩剑章;封代臣
地址: 266107 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 超高温 测井 中的 存储 装置
【说明书】:

实用新型公开了一种超高温测井中的存储装置,包括超高温处理器芯片DSP和超高温存储芯片FLASH,超高温处理器芯片DSP和超高温存储芯片FLASH之间通过SPI总线通信,采用钨钢作为超高温存储芯片FLASH组成电路的保护钢筒。本实用新型所公开超高温测井中的存储装置,直接采用超高温处理器芯片DSP和超高温存储芯片FLASH,配合超高温的其他元件,因为这类超高温芯片是通过特殊工艺生产的,能够适应210℃的超高温环境,使得电路能够直接承受其环境温度,存储测井中实际测试数据,无需采用保温瓶等额外的超高温保护装置,避免超高温保护装置带来的温度累积无法散热隐患,减少因采用超高温保护装置增加的体积,避免采用超高温保护装置所带来的缺点。

技术领域

本实用新型涉及测井领域,具体的说涉及该领域内的一种超高温测井中的存储装置。

背景技术

目前国内采用保温瓶方法使测井仪器适应水平井、大斜度井等复杂井况下的严苛环境,在井中超高温环境的长期影响下,保温瓶受到传导温度的辐射,内部的温度会不可避免地累积上升;同时由于保温瓶的保温作用,内部的热量无法及时向外散热,当该温度累积超出内部电路能够承受温度后会对内部电路造成不可逆的损害,另外保温瓶势必会加大仪器钢筒外径,使得仪器外形笨重,给施工和调试维修带来了不必要的麻烦。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题,就是提供一种超高温测井中的存储装置。

为了解决上述技术问题,本实用新型采用如下技术方案:

一种超高温测井中的存储装置,其改进之处在于:包括超高温处理器芯片DSP和超高温存储芯片FLASH,超高温处理器芯片DSP和超高温存储芯片FLASH之间通过SPI总线通信,采用钨钢作为超高温存储芯片FLASH组成电路的保护钢筒。

进一步的,包括两块以上的超高温存储芯片FLASH,各超高温存储芯片FLASH均为SPI总线被动器件,共用SPI总线的MISO,MOSI和SCLK数据接口线,并为每个超高温存储芯片FLASH单独配置使能总线CS线。

进一步的,超高温存储芯片FLASH存储两类参数,一类是操作测井仪器所需的参数,包括测井、高低刻换挡,仪器工作时间参数,待机、复位和上传命令;另一类是实际测井数据,该数据类型包括存储序号及对应时间参数。

进一步的,超高温处理器芯片DSP采用C2000系列,超高温存储芯片FLASH采用LHM128MB或LHM256MB。

本实用新型的有益效果是:

本实用新型所公开超高温测井中的存储装置,直接采用超高温处理器芯片DSP和超高温存储芯片FLASH,配合超高温的其他元件,因为这类超高温芯片是通过特殊工艺生产的,能够适应210℃的超高温环境,使得电路能够直接承受其环境温度,存储测井中实际测试数据,无需采用保温瓶等额外的超高温保护装置,避免超高温保护装置带来的温度累积无法散热隐患,减少因采用超高温保护装置增加的体积,避免采用超高温保护装置所带来的缺点。

附图说明

图1是超高温处理器芯片DSP与超高温存储芯片FLASH的SPI接线图;

图2是超高温存储芯片FLASH的SPI接线图;

图3是超高温存储芯片FLASH的并行连接示意图;

图4是超高温存储芯片FLASH的数据写操作流程示意图;

图5是超高温存储芯片FLASH的数据擦除操作流程示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。

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