[实用新型]电子设备有效
申请号: | 202123124424.3 | 申请日: | 2021-12-13 |
公开(公告)号: | CN216957763U | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | M·布夫尼彻尔 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(图尔)公司 |
主分类号: | H01G4/30 | 分类号: | H01G4/30;H05K3/06;H05K3/04 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 黄海鸣 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子设备 | ||
本公开涉及一种电子设备,包括堆栈式电容器结构和金属焊盘。堆栈式电容器结构包括:基板,具有表面;第一导电层,位于表面上并且沿着表面延伸;第一电极,位于导电层上并且沿着导电层延伸;介电层,位于第一电极上并且沿着第一电极延伸;第二电极,位于介电层上并且沿着介电层延伸;第二导电层,位于第二电极上并且沿着第二电极延伸。金属焊盘位于第二导电层上并且从第二导电层延伸。本实用新型的技术提供了具有改进的可靠性的电子设备。
技术领域
本公开总体上涉及集成电路,并且更具体地,涉及包括电容器的集成电路,例如无源集成电路。
背景技术
提供了制造包括电容器的集成电路的各种方法及由此制造的集成电路。这些方法及由此制造的集成电路有各种缺点。希望有一种制造包括电容器的集成电路的方法及由此制造的集成电路,以克服了已知的全部或部分缺点。
实用新型内容
鉴于上述集成电路所面临的问题,本公开的实施例旨在提供具有改进性能的集成电路,以至少克服或部分克服上述缺点。
本公开的实施例提供了一种电子设备,其包括堆栈式电容器结构和金属焊盘。堆栈式电容器结构包括:基板,具有表面;第一导电层,位于表面上并且沿着表面延伸;第一电极,位于导电层上并且沿着导电层延伸;介电层,位于第一电极上并且沿着第一电极延伸;第二电极,位于介电层上并且沿着介电层延伸;第二导电层,位于第二电极上并且沿着第二电极延伸。金属焊盘,位于第二导电层上并且从第二导电层延伸。
在一些实施例中,堆栈式电容器还包括侧壁,侧壁包括第一导电层、第一电极、介电层、第二电极和第二导电层的相应侧面,相应侧面基本上彼此共面。
在一些实施例中,基板还包括与侧壁隔开的第一端;第一导电层还包括与侧壁隔开的第二端;并且侧壁位于第一导电层上。
本实用新型的技术提供了具有改进的可靠性的电子设备。
附图说明
上述特征和优点以及其他将在以下参照附图以说明而不是限制的方式给出的特定实施例的描述中详细描述,其中:
图1是根据实施例的电容器的示例的简化截面图;
图2是示出制造图1的电容器的方法的步骤的截面图;
图3是示出制造图1的电容器的方法的另一步骤的截面图;
图4是示出制造图1的电容器的方法的另一步骤的截面图;
图5是示出制造图1的电容器的方法的另一步骤的截面图;
图6是示出根据第一实施例的图1的电容器的制造方法的步骤的截面图;
图7是示出根据第一实施例的图1的电容器的制造方法的另一步骤的截面图;
图8是示出根据第一实施例的图1的电容器的制造方法的另一步骤的截面图;
图9是示出根据第一实施例的图1的电容器的制造方法的另一步骤的截面图;
图10是示出根据第二实施例的图1的电容器的制造方法的步骤的截面图;以及
图11是示出根据第二实施例的图1的电容器的制造方法的另一步骤的截面图。
具体实施方式
在不同的图中,相同的特征已由相同的参考物指定。特别地,在各种实施例中公共的结构和/或功能特征可以具有相同的参考并且可以设置相同的结构、尺寸和材料特性。
为了清楚起见,仅详细说明和描述了对理解本文所描述的实施例有用的步骤和元件。特别地,这里主要考虑能够暴露金属层以便在集成电路的电容器的下电极上进行电接触的蚀刻步骤。制造电容器电路和集成电路的方法的其他步骤在本领域技术人员的能力范围内,并且将不详细描述。
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