[实用新型]一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管结构

权利要求书

1.一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管结构，其特征在于，包括氮化镓基功率器件，所述氮化镓基功率器件通过钝化层与后端工艺晶体管相连，所述钝化层内设置有导电柱，所述导电柱将所述氮化镓基功率器件的电极层与所述后端工艺晶体管的电极层相连。

2.根据权利要求1所述的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管结构，其特征在于：所述钝化层内光刻有介质过孔，所述介质过孔内填充导电金属后形成所述导电柱。

3.根据权利要求1所述的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管结构，其特征在于：所述钝化层的厚度为500～1000nm。

4.根据权利要求1所述的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管结构，其特征在于：所述导电柱设置有多个，多个导电柱将所述氮化镓基功率器件的源电极Ⅰ、漏电极Ⅰ和栅电极Ⅰ与所述后端工艺晶体管对应的源电极Ⅱ、漏电极Ⅱ和栅电极Ⅱ相连分别形成源电极焊盘、漏电极焊盘和栅电极焊盘。

5.根据权利要求1所述的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管结构，其特征在于：所述氮化镓基功率器件包括衬底，所述衬底上依次生长氮化镓层和铝镓氮层，所述铝镓氮层上设置源电极Ⅰ、漏电极Ⅰ和栅电极Ⅰ，所述栅电极Ⅰ与所述铝镓氮层之间设置绝缘介质层。

6.根据权利要求5所述的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管结构，其特征在于：所述衬底和所述氮化镓层之间设置高阻缓冲层，和/或所述氮化镓层与所述铝镓氮层之间设置高阻缓冲层。

7.根据权利要求1所述的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管结构，其特征在于：所述后端工艺晶体管包括碳纳米晶体管、氧化物半导体晶体管或二维材料晶体管。

8.根据权利要求1所述的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管结构，其特征在于：所述后端工艺晶体管包括沉积在钝化层上的晶体管薄膜，所述晶体管薄膜的两端设置源电极Ⅱ和漏电极Ⅱ，所述源电极Ⅱ、漏电极Ⅱ与晶体管薄膜的上表面覆盖有栅极氧化层，所述源电极Ⅱ和漏电极Ⅱ之间的栅极氧化层上表面形成栅电极Ⅱ。