[实用新型]一种电流源有效
申请号: | 202123152508.8 | 申请日: | 2021-12-14 |
公开(公告)号: | CN216486177U | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
发明(设计)人: | 刘吉平;赵磊;王翔 | 申请(专利权)人: | 深圳市航顺芯片技术研发有限公司 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人: | 辛鸿飞 |
地址: | 518116 广东省深圳市龙岗区平湖街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电流 | ||
1.一种电流源,其特征在于,包括基准电压模块、零温漂电流产生模块和校准模块,其中,
所述基准电压模块,用于基于供电端输入的供电电压向所述零温漂电流产生模块生成基准电压,以使所述零温漂电流产生模块工作在零温漂电流区;
所述零温漂电流产生模块,用于在所述基准电压模块生成的基准电压下,工作在零温漂电流区,并向所述校准模块输出零温漂电流;
所述校准模块,用于对所述零温漂电流进行工艺角校准,以输出目标电流。
2.根据权利要求1所述的电流源,其特征在于,所述基准电压模块包括基准电压生成单元和工艺角补偿单元,其中,
所述基准电压生成单元,用于基于所述供电电压生成预基准电压;
所述工艺角补偿单元,用于对所述预基准电压进行工艺角补偿,得到所述基准电压。
3.根据权利要求2所述的电流源,其特征在于,所述基准电压生成单元包括第一MOS管和第二MOS管,所述第一MOS管的栅极及所述第二MOS管的源极均接地,所述第一MOS管的源极与所述第二MOS管的漏极电性连接,所述第一MOS管的漏极与供电端电性连接,所述第二MOS管的栅极与所述第二MOS管的漏极短接,且所述第二MOS管的栅极与所述工艺角补偿单元电性连接。
4.根据权利要求3所述的电流源,其特征在于,所述工艺角补偿单元为根据已知工艺角补偿系数设置的运放补偿电路。
5.根据权利要求1所述的电流源,其特征在于,所述零温漂电流产生模块包括第五MOS管,所述第五MOS管的栅极与所述基准电压模块电性连接,所述第五MOS管的漏极与所述校准模块电性连接,所述第五MOS管的源极接地。
6.根据权利要求1所述的电流源,其特征在于,所述校准模块包括电流镜构建单元和电流镜输出单元,其中,
所述电流镜构建单元,用于将所述零温漂电流产生模块输出的零温漂电流镜像到所述电流镜输出单元,以与所述电流镜输出单元搭建电流镜;
所述电流镜输出单元,包括多个电流镜输出模组,用于通过所述电流镜镜像过来的零温漂电流来使得每一所述电流镜输出模组产生相应的基准电流,以及根据当前所述电流源的输出电流调整每一所述电流镜输出模组的工作状态,以输出所述目标电流。
7.根据权利要求6所述的电流源,其特征在于,所述电流镜构建单元包括第六MOS管,所述第六MOS管的漏极与所述零温漂电流产生模块电性连接,所述第六MOS管的栅极与所述第六MOS管的漏极短接,所述第六MOS管的源极与供电端电性连接。
8.根据权利要求7所述的电流源,其特征在于,所述多个电流镜输出模组根据输出的基准电流的大小依次排序,且当前所述电流镜输出模组输出的基准电流为前一所述电流镜输出模组输出的基准电流的N倍,N为大于1的正整数。
9.根据权利要求7或8所述的电流源,其特征在于,所述电流镜输出单元还包括寄存器控制模组,所述寄存器控制模组包括多个寄存器输出通道,用于根据当前所述电流源的输出电流控制每一所述寄存器输出通道的输出电平。
10.根据权利要求9所述的电流源,其特征在于,所述电流镜输出模组包括反相器、第七MOS管、第八MOS管和第九MOS管,所述反相器的输入端与一所述寄存器输出通道电性连接,所述反相器的输出端与所述第七MOS管的栅极电性连接,所述第七MOS管的源极与所述第六MOS管的源极电性连接,所述第七MOS管的漏极分别与所述第八MOS管的源极及所述第九MOS管的栅极电性连接,所述第八MOS管的栅极与相应的所述寄存器输出通道电性连接,所述第八MOS管的漏极与所述第六MOS管的漏极电性连接,所述第九MOS管的源极与所述第六MOS管的源极电性连接,所述第九MOS管的漏极与所述电流源的电流输出端电性连接。
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