[实用新型]一种高耐压肖特基二极管有效
申请号: | 202123157055.8 | 申请日: | 2021-12-15 |
公开(公告)号: | CN216597558U | 公开(公告)日: | 2022-05-24 |
发明(设计)人: | 孙孝兵 | 申请(专利权)人: | 连云港瑞而盛电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/16 | 分类号: | H01L23/16;H01L23/13;H01L23/367;H01L23/49 |
代理公司: | 连云港润知专利代理事务所 32255 | 代理人: | 赵术顺 |
地址: | 222000 江苏省连云港市海州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 耐压 肖特基 二极管 | ||
本实用新型公开了一种高耐压肖特基二极管,包括封装壳体,所述封装壳体的内部安装有半导体,且半导体的底端安装有引脚,所述半导体的外侧均匀设置有沟槽,所述封装壳体的底端设置有定位机构。本实用新型通过引脚外壁与第一定位套和第二定位套相接触并使其受力带动活动块在活动槽中移动,活动块带动定位弹簧进行伸缩,以便通过定位弹簧的作用推动第一定位套和第二定位套合并以起到对引脚的加强固定作用,同时配合密封圈及第一磁贴和第二磁贴的磁性连接作用,有利于在提高引脚使用稳定性的同时增强引脚与封装壳体之间的密封性能,使得空气中的潮湿水分不易从连接处进入对气内部元件产生影响,进一步提高其使用效果。
技术领域
本实用新型涉及肖特基二极管技术领域,特别涉及一种高耐压肖特基二极管。
背景技术
肖特基二极管是肖特基势垒二极管的简称,是以其发明人肖特基博士命名的半导体器件,肖特基二极管是低功耗、大电流、超高速半导体器件,它不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的,因此,SBD也称为金属-半导体二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管;
现有的高耐压肖特基二极管在使用过程中,其引脚的稳定性不佳,容易与封装壳体的连接处产生晃动进而造成引脚断裂,同时在使用时空气的潮湿水分容易经由连接端进入至封装壳体内部,从而降低了肖特基二极管的使用寿命。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种高耐压肖特基二极管,以解决上述背景技术中提出的稳定性及密封性不佳的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种高耐压肖特基二极管,包括封装壳体,所述封装壳体的内部安装有半导体,且半导体的底端安装有引脚,所述半导体的外侧均匀设置有沟槽,所述封装壳体的底端设置有定位机构,所述定位机构包括活动槽,且活动槽均设置在封装壳体内部的底端,所述活动槽的内部均活动安装有活动块,且活动块的外侧均安装有定位弹簧,所述活动块的底端分别安装有第一定位套和第二定位套。
使用本技术方案的一种高耐压肖特基二极管时,通过定位机构、密封圈、第一磁贴和第二磁贴的作用能够在提高引脚使用稳定性的同时增强引脚与封装壳体之间的密封性能,使得空气中的潮湿水分不易从连接处进入对其内部元件产生影响,进一步提高其使用效果;
优选的,所述封装壳体内部的两端均匀安装有导热板,所述封装壳体的两端均匀安装有散热座,且散热座远离封装壳体的一端皆均匀安装有散热翅片。导热板安装于封装壳体内壁,能够有效的提高热量的传导面积及传导速率。
优选的,所述散热座的内侧皆均匀设置有散热通道,且散热通道的剖面均设置呈圆形。散热通道能够有效的增大热量与空气之间的接触面积,进而提高对热量的散热效果。
优选的,所述第一定位套和第二定位套的内侧均安装有密封圈,且密封圈的内侧均与引脚的外侧相连接。密封圈在推动作用下与引脚外壁紧密贴合,以提高引脚与封装壳体连接处的密封效果。
优选的,所述第一定位套靠近第二定位套一侧的两端均安装有第二磁贴,所述第二定位套靠近第一定位套一侧的两端均安装有第一磁贴。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:该高耐压肖特基二极管不仅实现了便于固定密封的功能,而且实现了散热保护的功能;
(1)通过设置有定位机构,在引脚安装过程中,引脚外壁与第一定位套和第二定位套相接触并使其受力带动活动块在活动槽中移动,活动块带动定位弹簧进行伸缩,以便通过定位弹簧的作用推动第一定位套和第二定位套合并以起到对引脚的加强固定作用,同时配合密封圈及第一磁贴和第二磁贴的磁性连接作用,有利于在提高引脚使用稳定性的同时增强引脚与封装壳体之间的密封性能,使得空气中的潮湿水分不易从连接处进入对其内部元件产生影响,进一步提高其使用效果;
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