[实用新型]半导体工艺设备

权利要求书

1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括；工艺腔室、排气管、第一吹扫组件及第二吹扫组件；

所述排气管的进气端与所述工艺腔室连接，所述排气管的排气端与厂务排气连接，用于排出所述工艺腔室内的工艺气体；

所述第一吹扫组件及所述第二吹扫组件沿所述排气管的排气方向依次设置，用于向所述排气管内通入稀释气体，以对所述工艺气体进行稀释，所述第二吹扫组件的出气方向与所述排气方向之间呈一预设夹角；

所述第一吹扫组件还用于在所述排气管内形成一气流保护层，所述气流保护层位于所述第一吹扫组件及所述第二吹扫组件之间，用于阻挡所述第二吹扫组件通入的稀释气体进入所述工艺腔室内。

2.如权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第一吹扫组件包括有第一导向管及第一连通部件，所述第一导向管设置于所述排气管内，并且沿所述排气管的轴向延伸设置；所述第一导向管为圆台结构；所述第一导向管相对较小的一端靠近所述进气端设置，并且通过所述第一连通部件与气源连接，所述第一导向管相对较大的一端用于在所述排气管内形成所述气流保护层。

3.如权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第二吹扫组件包括有第二导向管及第二连通部件，所述第二导向管设置于所述排气管内，并且沿所述排气管的轴向延伸设置；所述第二导向管的一端为封闭结构，另一端通过所述第二连通部件与气源连接，并且所述第二导向管的周壁上具有导流结构，用于使所述第二导向管的出气方向与所述排气方向之间呈所述预设夹角。

4.如权利要求3所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第二连通部件位于所述第二导向管与所述第一导向管之间，并且所述第二连通部件与所述第一导向管相对较大的一端之间具有第一间距；所述第一导向管较大的一端沿周壁倾斜方向与所述排气管内周壁之间具有第二间距，所述第一间距大于所述第二间距。

5.如权利要求3所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述导流结构的出气方向沿所述排气管的径向设置，以使所述预设夹角呈90度；或者，所述导流结构的出气方向朝向所述排气端的方向倾斜，以使所述预设夹角为小于90度。

6.如权利要求3所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述导流结构的开口总面积为第一面积，所述第二导向管的导向通道的横截面积为第二面积，所述第一面积大于等于第二面积。

7.如权利要求3所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述导流结构包括有开设于所述第二导向管周壁上的多个导流孔，多个所述导流孔对称的开设于所述第二导向管的周壁上，并且多个所述导流孔沿所述第二导向管的轴向均匀排布。

8.如权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第一导向管相对较大的一端沿轴向的正投影面积为第三面积，所述排气管的排气通道的横截面积为第四面积，所述第三面积小于等于所述第四面积的二分之一。

9.如权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第一连通部件包括有第一转向块及第一连通管，所述第一转向块设置于所述排气管内，并且相邻两侧面分别用于连接所述第一导向管及所述第一连通管；所述第一连通管的一端与所述第一转向块连接，另一端位于所述排气管外侧用于连接气源。

10.如权利要求3所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第二连通部件包括有第二转向块及第二连通管，所述第二转向块设置于所述排气管内，并且相邻两侧面分别用于连接所述第二导向管及所述第二连通管；所述第二连通管的一端与所述第二转向块连接，另一端位于所述排气管外侧用于连接气源。