[实用新型]一种功率开关器件有效
申请号: | 202123167904.8 | 申请日: | 2021-12-16 |
公开(公告)号: | CN216288460U | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 张耀华;杜元宝;王国君;朱小清;张庆豪 | 申请(专利权)人: | 宁波升谱光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/58;H01S5/00;H01S5/0225;H01S5/0239;H01S5/026;H01S5/06 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张艺 |
地址: | 315103 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功率 开关 器件 | ||
1.一种功率开关器件,其特征在于,包括:
基板框架;
固定于所述基板框架底部的氮化镓基晶体管,所述氮化镓基晶体管包括由下至上层叠的衬底、氮化镓晶体层、势垒层和电极,所述电极包括源极、栅极和漏极;
固定于所述漏极上表面并与所述漏极电连接的发光芯片;
固定于所述基板框架开口处的匀光板。
2.如权利要求1所述的功率开关器件,其特征在于,还包括:
设于所述势垒层与所述栅极之间的P型GaN层。
3.如权利要求2所述的功率开关器件,其特征在于,还包括:
设于所述P型GaN层与所述栅极之间的金属层。
4.如权利要求1所述的功率开关器件,其特征在于,所述势垒层的上表面分布有凹槽,所述栅极位于所述凹槽中。
5.如权利要求1所述的功率开关器件,其特征在于,还包括:
与所述氮化镓基晶体管级联的硅基晶体管。
6.如权利要求1所述的功率开关器件,其特征在于,所述漏极与所述发光芯片之间通过银浆或者锡膏或者共晶金属层连接。
7.如权利要求1所述的功率开关器件,其特征在于,所述基板框架侧壁的顶部为台阶状,相应的,所述开口为下凹型开口。
8.如权利要求1至7任一项所述的功率开关器件,其特征在于,还包括:
串联在所述源极和所述发光芯片的阳极之间的电容。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的