[实用新型]覆铜氧化铍陶瓷基片减薄装置有效
申请号: | 202123206744.3 | 申请日: | 2021-12-17 |
公开(公告)号: | CN216503908U | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 江树昌;陈光明;张健凌;张绍甫 | 申请(专利权)人: | 中鸣(宁德)科技装备制造有限公司 |
主分类号: | B24B7/10 | 分类号: | B24B7/10;B24B41/04;B24B41/06;B24B47/22 |
代理公司: | 东莞市神州众达专利商标事务所(普通合伙) 44251 | 代理人: | 刘汉民 |
地址: | 355100 福建省*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化铍 陶瓷 基片减薄 装置 | ||
本实用新型公开了覆铜氧化铍陶瓷基片减薄装置,包括底板,所述底板的下表面固定连接有第一支撑腿、第二支撑腿,所述底板的上表面固定连接有滑轨,所述滑轨的上方滑动连接有工作台,所述底板的前部设置有通道,所述底板的下表面设置有推动气缸,所述推动气缸的输出端与连接架固定连接。本实用新型中,设置了推动气缸、连接架、通道、工作台、滑轨、限位块,在放置基片主体时,推动气缸可以推动工作台移出,方便放置基片主体,同时,增加了使用的安全性,限位块可以对基片主体进行限位,保证加工的质量良好,同时,对于不同厚度的限位需求,可以对限位块进行更换,使用不同厚度的限位块,使用的范围较广。
技术领域
本实用新型涉及陶瓷基片加工技术领域,尤其涉及覆铜氧化铍陶瓷基片减薄装置。
背景技术
氧化铍陶瓷是以氧化铍为主要成分的陶瓷,主要用作大规模集成电路基板,大功率气体激光管,晶体管的散热片外壳,微波输出窗和中子减速剂等材料,在集成电路制造过程中,需要在覆铜陶瓷基片上进行数百道工艺,因此,必须采用具有一定厚度的覆铜陶瓷基片,而在完成集成电路制作之后,需要对集成电路进行封装。在集成电路封装前,需要对覆铜陶瓷基片的进行减薄,一方面改善芯片的散热效果,另一方面有利于减小封装尺寸。
现有的技术中,对覆铜陶瓷基片减薄时,需要将覆铜陶瓷片放置在工作台上,工作台无法移动,人员容易出现加工过程中误伤的情况,使用起来不够安全。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的覆铜氧化铍陶瓷基片减薄装置。
为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:覆铜氧化铍陶瓷基片减薄装置,包括底板,所述底板的下表面固定连接有第一支撑腿、第二支撑腿,所述底板的上表面固定连接有滑轨,所述滑轨的上方滑动连接有工作台,所述底板的前部设置有通道,所述底板的下表面设置有推动气缸,所述推动气缸的输出端与连接架固定连接,所述工作台的上表面可拆卸连接有限位块;
所述底板的上表面固定连接有滑杆,所述滑杆的上表面固定连接有顶板,所述顶板的上表面设置有液压推杆,所述液压推杆的输出端固定连接有移动板,所述移动板的下表面固定连接有安装架,所述安装架的上表面设置有打磨电机,所述打磨电机的输出端固定连接有打磨盘。
作为上述技术方案的进一步描述:
所述工作台的上表面设置有基片主体,所述基片主体位于限位块的内侧。
作为上述技术方案的进一步描述:
所述底板的上表面设置有凹槽,所述滑轨、工作台均位于凹槽内部。
作为上述技术方案的进一步描述:
所述限位块的形状为L形,且位于工作台的四个拐角处。
作为上述技术方案的进一步描述:
所述工作台的上表面与底板的上表面平齐,所述第二支撑腿位于第一支撑腿的前方。
作为上述技术方案的进一步描述:
所述移动板与滑杆滑动连接,所述滑杆的数量有四个。
作为上述技术方案的进一步描述:
所述移动板位于顶板的下方,所述连接架与工作台固定连接。
作为上述技术方案的进一步描述:
所述打磨盘位于工作台的正上方。
本实用新型具有如下有益效果:
1、与传统技术相比,该覆铜氧化铍陶瓷基片减薄装置设置了推动气缸、连接架、通道、工作台、滑轨,在放置基片主体时,推动气缸可以推动工作台移出,方便放置基片主体,同时,增加了使用的安全性。
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