[实用新型]一种电路基板及LED显示装置

说明书

本实用新型提供一种用于焊接LED芯片的电路基板及LED显示装置，本实用新型在电路基板的焊接电极四周或者下方设置吸热层，该吸热层能够吸收激光能量，并将吸收的激光能量传递至焊接电极，使得焊接电极金属受热融化，由此能够方便地移去LED芯片，便于后续LED芯片的维修或者替换。维修后或者替换后的LED芯片，同样可以采用激光辐照吸热层，吸热层吸收热量后传导至焊接电极，使得焊接电极融化，此时将LED芯片的电极放置于对应的焊接电极上，实现LED芯片的焊接。上述电路基板结构便于Micro LED芯片的维修，并且结构简单制造成本低。另外，吸热层在电路基板中与焊接电极的位置关系以及形状结构可以有多种变形，能够根据实际需要做出调整，电路基板的设计灵活多样。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种电路基板及LED显示装置。

背景技术

LED以发光效率高、使用寿命长、安全可靠和环保节能的特点受到广泛的重视，其中，micro LED通常用于显示屏。Micro LED显示屏与LCD/OLED显示屏最大差异点在于LCD与OLED发光器件与TFT背板的结合方式。LCD是背光源与液晶开关的结合，OLED是有机发光材料附着在TFT背板上，通过TFT背板电极给予电压/电流。而Micro LED显示屏是将Micro LED芯片借着不同的焊接方式，电性连接至TFT背板电极上，进而通过TFT背板给予Micro LED芯片电压/电流而发光。

Micro LED显示屏最大的难点在于，Micro LED芯片是需要在另外载体上制作，再通过巨量转移将芯片一次大量转移至TFT背板上。这与OLED制作工艺差异巨大，OLED是将发光材料直接制作于TFT背板上。二者工艺的差距，使得Micro LED发光器件与TFT背板的结合方式直接影响到显示屏的良率，Micro LED修补工艺因此显得格外重要。

传统LED芯片是借由锡膏让LED芯片与PCB/TFT背板焊接而形成电性连接。现今为了可以快速修补LED芯片，激光去除LED芯片的工艺技术逐一开发完成，其是利用激光能量激发锡膏内的有机材料，使锡膏吸收激光能量后温度升高，让锡膏因此融化后，把LED芯片取起。之后，采用相同激光工艺技术，将LED芯片重新焊接至PCB/TFT背板上。然而，MicroLED芯片无法通过锡膏焊接至基板，因此无法采用上述传统工艺。

因此，急需一种能够有效移除micro LED芯片的技术。

实用新型内容

鉴于现有技术中移除Micro LED芯片的局限，本实用新型提供一种用于焊接LED芯片的电路基板及LED显示装置。在电路基板的焊接电极下方或者周围设置一吸热层，该吸热层能够有效吸收激光热量，吸热后加热焊接电极，使得焊接电极融化，由此可以方便地移除LED芯片。

根据本实用新型的一个实施例，提供一种用于焊接LED芯片的电路基板，该电路基板包括：

绝缘基板；

设置在所述绝缘基板上的线路层，所述线路层包括固晶区，所述固晶区具有用于焊接LED芯片的焊接电极；

吸热层，所述吸热层与所述焊接电极接触，用于将吸收的热量传导至所述焊接电极。

可选地，所述吸热层位于所述焊接电极的下方，并且所述吸热层的边缘超出所述焊接电极的边缘。

可选地，所述吸热层位于整个所述焊接电极的下方，并且所述吸热层中设置有通孔，所述焊接电极通过所述通孔与所述线路层连通。

可选地，所述吸热层位于所述焊接电极的边缘区域的下方。

可选地，所述吸热层形成在所述焊接电极的外围。

可选地，所述吸热层形成为环状结构，或者具有镂空结构的环状结构。

可选地，所述吸热层形成在同一固晶区的所述焊接电极远离彼此的一侧。