[实用新型]光电器件组件结构有效
申请号: | 202123235326.7 | 申请日: | 2021-12-21 |
公开(公告)号: | CN216413079U | 公开(公告)日: | 2022-04-29 |
发明(设计)人: | 闫翎鹏;韩云飞;张浩;龚超;林剑;骆群;马昌期 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L25/04 | 分类号: | H01L25/04;H01L23/538;H01L21/60 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 王锋 |
地址: | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 器件 组件 结构 | ||
1.一种光电器件组件结构,其特征在于,包括两个光电器件单元,其中一个光电器件单元包括沿设定方向依次设置的底电极(100)、功能层(300)和顶电极(500),所述底电极(100)包括设置于透光绝缘基底(11)的第一面(111)的第一电极(12’),所述透光绝缘基底(11)内形成有导电通道(15),所述导电通道包括沿厚度方向贯穿透光绝缘基底的通孔(113)以及设置于所述通孔内的导电体,所述第一电极(12’)通过导电通道(15)与结合于所述透光绝缘基底(11)的第二面(112)的另一个光电器件单元的顶电极或底电极电连接,从而使该两个光电器件单元串联或并联,所述第一面(111)与第二面(112)相背对设置。
2.根据权利要求1所述的光电器件组件结构,其特征在于:所述透光绝缘基底(11)的第一面(111)还设置有第四电极(18),所述第四电极(18)与第一电极(12’)电性接触。
3.根据权利要求2所述的光电器件组件结构,其特征在于:所述第四电极(18)的至少局部区域覆盖在第一电极(12’)上,或者,所述第一电极(12’)的至少局部区域覆盖在第四电极(18)上;和/或,所述第四电极(18)为导电线条。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的光电器件组件结构,其特征在于:所述透光绝缘基底(11)的第二面(112)还设置有第五电极(19),所述第五电极(19)与第一电极(12’)通过导电通道(15)电连接。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的光电器件组件结构,其特征在于:所述导电体由填充入所述通孔的导电浆料或沉积入所述通孔的金属形成,所述导电浆料包括银浆或导电胶。
6.根据权利要求5所述的光电器件组件结构,其特征在于:所述第一电极(12’)上还设置有由所述导电浆料或沉积的金属形成的第六电极(17),所述第六电极(17)与所述导电体一体形成。
7.根据权利要求1-3中任一项所述的光电器件组件结构,其特征在于:其中一个光电器件单元内的透光绝缘基底(11)的第二面(112)通过导电胶层(16)与另一个光电器件单元内的顶电极或底电极连接。
8.根据权利要求1-3中任一项所述的光电器件组件结构,其特征在于:所述光电器件单元为柔性光电器件。
9.一种光电器件组件结构,其特征在于,包括至少两个光电器件单元,其中一种光电器件单元包括沿设定方向依次设置的底电极(100)、功能层(300)和顶电极(500),所述底电极(100)包括透光绝缘基底(11)、设置于透光绝缘基底第一面(111)的第一电极(12)和第二电极(13)、设置于透光绝缘基底第二面(112)的第三电极(14),所述第一面(111)与第二面(112)相背对设置,所述第一电极(12)为透明电极,所述第二电极(13)与第一电极(12)电性接触,所述第二电极(13)与第三电极(14)通过导电通道(15)电连接,所述导电通道包括沿厚度方向贯穿透光绝缘基底的通孔(113)以及设置于所述通孔内的导电体,并且,其中一个光电器件单元内的第三电极(14)与另一光电器件单元内的顶电极(500)或第一电极(12)电连接,从而使该两个光电器件单元串联或并联。
10.根据权利要求9所述的光电器件组件结构,其特征在于:所述第二电极(13)为一个或多个,其中一个或多个第二电极(13)的至少局部区域被第一电极(12)覆盖,和/或,其中一个或多个第二电极(13)的至少局部区域覆盖在第一电极(12)上,和/或,其中一个或多个第二电极(13)分布在第一电极(12)周围,和/或,其中一个或多个第二电极(13)的至少局部区域被第一电极(12)围绕。
11.根据权利要求10所述的光电器件组件结构,其特征在于:所述第二电极(13)为导电线条,和/或,所述第二电极(13)包围或半包围第一电极(12)设置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,未经中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202123235326.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类