[实用新型]一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置有效
| 申请号： | 202123246359.1 | 申请日： | 2021-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN216746915U | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 陈斌;安红军;汪成洋;张孝山;史长岳;都强;甘易武;宗冰 | 申请（专利权）人： | 亚洲硅业（青海）股份有限公司;青海亚洲硅业半导体有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/10 | 分类号： | G01N1/10;C30B13/14;C30B13/20;C30B13/28;C30B29/06 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 张巨箭 |
| 地址： | 810007 青海*** | 国省代码： | 青海;63 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 颗粒状 多晶 杂质 元素 检测 采样 装置 | ||
1.一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置，包括区熔炉(1)和设于所述区熔炉(1)中的采样装置，其特征在于，所述采样装置包括：
设于区熔炉(1)上部的移动上轴(2)、籽晶夹头(3)和籽晶(4)，所述移动上轴(2)的上端与所述区熔炉(1)上部连接，所述移动上轴(2)的下端与所述籽晶夹头(3)连接，所述籽晶(4)夹在所述籽晶夹头(3)上；
设于区熔炉(1)下部的移动下轴(5)、颗粒硅载体(7)和颗粒硅(8)，所述移动下轴(5)的下端与所述区熔炉(1)底部连接，所述移动下轴(5)的上端与所述颗粒硅载体(7)连接，所述颗粒硅(8)设置于所述颗粒硅载体(7)中；
以及设于所述籽晶(4)与颗粒硅(8)之间的加热线圈(9)；
所述颗粒硅载体(7)为高纯多晶硅柱。
2.根据权利要求1所述的一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置，其特征在于，所述颗粒硅载体(7)为凹型硅棒。
3.根据权利要求1所述的一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置，其特征在于，所述加热线圈(9)为高频线圈。
4.根据权利要求3所述的一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置，其特征在于，所述高频线圈为单匝双刃线圈。
5.根据权利要求1所述的一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置，其特征在于，所述采样装置还包括升降装置(91)，所述升降装置(91)与所述加热线圈(9)连接。
6.根据权利要求5所述的一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置，其特征在于，所述升降装置(91)包括电机(912)和由所述电机(912)驱动的升降杆(911)，所述升降杆(911)与所述加热线圈(9)连接。
7.根据权利要求1所述的一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置，其特征在于，所述颗粒硅载体(7)和所述移动下轴(5)之间设有区熔炉料座(6)。
8.根据权利要求1所述的一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置，其特征在于，所述区熔炉(1)中接有氩气管(10)。
9.根据权利要求1所述的一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置，其特征在于，所述籽晶(4)为方形或圆柱状。
10.根据权利要求1所述的一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置，其特征在于，所述区熔炉(1)上部密封，所述区熔炉(1)中设有压力检测装置(11)和温度检测装置(12)。
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