[实用新型]一种基于压磁-压电半导体复合结构的磁场检测装置有效
| 申请号： | 202123246529.6 | 申请日： | 2021-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN216595466U | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 张春利;黄依凡 | 申请（专利权）人： | 浙江大学深圳研究院 |
| 主分类号： | G01R33/06 | 分类号： | G01R33/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 压电 半导体 复合 结构 磁场 检测 装置 | ||
1.一种基于压磁-压电半导体复合结构的磁场检测装置，其特征在于：包括传感器单元、金属电极、导线、伺服电机、单片机、电压采集单元、显示器；
所述传感器单元包括第一压磁层、第二压磁层、第一压电半导体层、第二压电半导体层；
所述第一压磁层与第一压电半导体层的极化方向相同；
所述第二压磁层与第二压电半导体层的极化方向相同；
所述第一压电半导体层与第二压电半导体层的极化方向相反；所述第一压磁层、第一压电半导体层、第二压电半导体层和第二压磁层依次连接。
2.根据权利要求1所述一种基于压磁-压电半导体复合结构的磁场检测装置，其特征在于：所述第一压磁层、第二压磁层、第一压电半导体层、第二压电半导体层的长度相等，其长度取值范围为0.1-10微米。
3.根据权利要求1所述一种基于压磁-压电半导体复合结构的磁场检测装置，其特征在于：第一压磁层与第二压磁层厚度相同，所述第一压电半导体层与第二压电半导体层厚度相同；所述第一压磁层厚度为第一压电半导体层厚度的0.35-0.45倍。
4.根据权利要求1所述一种基于压磁-压电半导体复合结构的磁场检测装置，其特征在于：所述第一压磁层与第二压磁层为同种材料。
5.根据权利要求1所述一种基于压磁-压电半导体复合结构的磁场检测装置，其特征在于：所述传感器两端与金属电极相连接；
所述传感器单元下底面设置于伺服电机的输出轴上，传感器长度方向与直流电机输出轴的夹角为90°。
6.根据权利要求1所述一种基于压磁-压电半导体复合结构的磁场检测装置，其特征在于：所述金属电极通过导线与电压采集装置电性连接；所述单片机通过导线分别与伺服电机、显示器、电压采集装置电性连接。
7.根据权利要求1所述一种基于压磁-压电半导体复合结构的磁场检测装置，其特征在于：所述第一压电半导体层和第二压电半导体层为同种材料。
8.根据权利要求1所述一种基于压磁-压电半导体复合结构的磁场检测装置，其特征在于：所述传感器单元的宽度和厚度均不超过传感器长度的十分之一。
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