[实用新型]一种基于热氧化法制作的集成无源器件有效

专利信息
申请号: 202123247599.3 申请日: 2021-12-22
公开(公告)号: CN216528949U 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 张宏伟;陈天放 申请(专利权)人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司
主分类号: H01L49/02 分类号: H01L49/02;H01L27/01
代理公司: 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 代理人: 张东梅
地址: 214028 江苏省无锡市新区*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 氧化 法制 集成 无源 器件
【权利要求书】:

1.一种基于热氧化法制作的集成无源器件,包括:

衬底;

第一介质层,其位于所述衬底上;以及

电容,包括:

电容下电极,其位于所述第一介质层中;

金属氧化物层,其在第一介质层中位于所述电容下电极上;以及

电容上电极,其位于所述金属氧化物层上。

2.根据权利要求1所述的基于热氧化法制作的集成无源器件,其特征在于,所述金属氧化物层是由热氧化法制作形成的金属氧化物层。

3.根据权利要求1所述的基于热氧化法制作的集成无源器件,其特征在于,所述第一介质层为包括无机材料的介质层。

4.根据权利要求1所述的基于热氧化法制作的集成无源器件,其特征在于,所述电容下电极为包括银、铝或锌的电容下电极。

5.根据权利要求1所述的基于热氧化法制作的集成无源器件,其特征在于,所述金属氧化物层为包括氧化银、氧化铝或氧化锌的金属氧化物层。

6.根据权利要求1所述的基于热氧化法制作的集成无源器件,其特征在于,还包括:

第一导电通孔,其贯穿所述金属氧化物层,并与所述电容下电极电连接;

第一金属互连线,其位于所述电容上电极的左侧,并与所述电容上电极电连接;

第二金属互连线,其位于所述电容上电极的右侧,并与所述第一导电通孔电连接;

电感,其位于所述第二金属互连线的右侧,并与所述第二金属互连线电连接;

第二介质层,其位于所述第一介质层上,并包裹所述电容上电极、所述第一金属互连线、所述第二金属互连线和所述电感;

第三介质层,其位于所述第二介质层上;

第二导电通孔,其贯穿所述第三介质层,并与所述第一金属互连线或电感电连接;

第三金属互连线,其位于所述第三介质层上,并与所述第二导电通孔电连接;

第四介质层,其位于所述第三介质层上,并包裹所述第三金属互连线;

第五介质层,其位于所述第四介质层上;

第三导电通孔,其贯穿所述第五介质层,并与所述第三金属互连线电连接;

金属焊盘,其位于所述第五介质层上,并与所述第三导电通孔电连接;以及

焊球,其与所述金属焊盘连线电连接。

7.根据权利要求1所述的基于热氧化法制作的集成无源器件,其特征在于,还包括:

第一导电通孔,其贯穿所述金属氧化物层,并与所述电容下电极电连接;

第一金属互连线,其位于所述电容上电极的左侧,并与所述电容上电极电连接;

第二金属互连线,其位于所述电容上电极的右侧,并与所述第一导电通孔电连接;

第二介质层,其位于所述第一介质层上,并包裹所述电容上电极、所述第一金属互连线和所述第二金属互连线;

第三介质层,其位于所述第二介质层上;

第二导电通孔,其贯穿所述第三介质层,并与所述第一金属互连线和所述第二金属互连线电连接;

第三金属互连线,其位于所述第三介质层上,并与第二导电通孔211电连接;

电感,其位于所述第三金属互连线的右侧,并与所述第二导电通孔电连接;

第四金属互连线,其位于所述电感的右侧,并与所述电感电连接;

第四介质层,其位于所述第三介质层上,并包裹所述第三金属互连线、所述电感和所述第四金属互连线;

第五介质层,其位于所述第四介质层上;

第三导电通孔,其贯穿所述第五介质层,并与所述第三金属互连线和所述第四金属互连线电连接;

金属焊盘,其位于所述第五介质层上,并与所述第三导电通孔电连接;以及

焊球,其与所述金属焊盘电连接。

8.根据权利要求6或7所述的基于热氧化法制作的集成无源器件,其特征在于,所述第二介质层、所述第三介质层、所述第四介质层和所述第五介质层为包括无机材料或有机材料的介质层。

9.根据权利要求6或7所述的基于热氧化法制作的集成无源器件,其特征在于,所述电感为金属线缠绕形成的线圈。

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