[实用新型]电子装置有效
| 申请号： | 202123264016.8 | 申请日： | 2021-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN217691182U | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | A·伊万;L·让 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(图尔)公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329;H01L29/40;H01L29/41 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 张昊 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种电子装置，其特征在于，包括：
二极管，具有阳极，所述二极管的所述阳极包括：
第一区、第二区和第三区，所述第一区部分地覆盖所述第二区并且具有的第一掺杂水平大于所述第二区的第二掺杂水平，所述第二区部分地覆盖所述第三区，所述第二掺杂水平大于所述第三区的第三掺杂水平；以及
第一绝缘层，与所述第一区和所述第二区部分地重叠。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一区被所述第一绝缘层和导电层覆盖。
3.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一区与所述第一绝缘层的重叠延伸至少5μm的长度。
4.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一区与所述第一绝缘层的重叠在所述第二区与所述第一绝缘层的重叠的四分之一到四分之三的范围内的部分之上延伸。
5.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一绝缘层在所述第一区的整个外围之上延伸。
6.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第三区的至少一部分向下延伸的深度大于所述第一区的深度和所述第二区的深度。
7.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一区、所述第二区和所述第三区与所述第一绝缘层接触。
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