[实用新型]提升异质结电池效率的载板结构、组件及异质结电池

说明书

本实用新型提供一种提升异质结电池效率的载板结构、组件及异质结电池，所述载板结构包括支撑底板，所述支撑底板的两端固定分别设置一个竖撑板，在所述竖撑板上作115°的倒角，使得两个所述竖撑板与所述支撑底板形成一个5mm的凹槽。本实用新型可以有效避免同一载具上出现的不同硅片及同一硅片不同区域上的膜厚均匀性差问题，这种结构支撑硅片所溅射的透明导电薄膜，均匀性较好，导电性较好，从而提升异质结太阳能电池的转换效率。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种提升异质结电池效率的载板结构、组件及异质结电池。

背景技术

太阳能电池是一种能将太阳能转换成电能的半导体器件，在光照条件下太阳能电池内部会产生光生电流，通过电极将电能输出。随着太阳能电池生产技术不断进步，转换效率更有优势的高效电池的开发越来越受重视。其中用非晶硅本征层(a-Si:H(i))钝化表面的硅基异质结太阳电池(HJT电池)是重点的研究方向之一。众所周知，硅基异质结太阳电池不仅有高的转化效率、高的开路电压，而且具有低的温度系数、无光致衰减(LID)、无电致衰减(PID)、低的制备工艺温度等优势[2]。另外硅基异质结电池在保证高转化效率的同时，硅片厚度可减薄至100μm，有效减少了硅料耗量，并可用来制备可弯曲电池组件。

HJT(异质结)电池同样是N型电池，是一种利用晶体硅(c-Si)和非晶体硅(α-Si)薄膜制成的光伏电池。HJT电池工艺比PERC和PERT简单，主要流程包括制绒清洗、生长非晶硅薄膜(CVD沉积硼和磷)、双面镀TCO (透明导电薄膜)、丝网印刷、烧结。

HJT电池技术优势包括：1)电池结构简单，工艺流程短。2)电池开压高。3)HJT电池工艺一般在200℃以下，对硅底材料要求低；热能投入少，同时对环境洁净度要求较低。4)可以双面发电。5)柔性好，可以制备柔性组件。HJT电池凭借非常高的转换效率(2019年平均效率达23％，比P型电池高1％-2％)，被给予厚望，但目前HJT电池生产设备价格昂贵，投资成本高，降低成本是首要任务。综合来看，HJT电池具备工艺流程短、转换效率高等优势，有望成为下一代主流电池技术。

HJT电池具有双面性特征，正背面同时具有非晶硅层，并需要同时覆盖透明导电薄膜，但是在溅射沉积透明导电薄膜时，硅片载具的设计会影响溅射到硅片表面的ITO的厚度及均匀性，影响了双面透明导电薄膜功效，带来了效率上的损失，如何突破现有技术改善导电层的性能，进一步提高 HJT电池的量产效率，加速大面积产业化进程是HJT电池目前面临的挑战。

实用新型内容

本实用新型需解决的技术问题是常规HJT电池的透明导电薄膜均匀性不高的情况。注意，本文所述的透明导电薄膜为溅射在非晶硅膜层上的ITO、 IWO等薄膜，均匀性是指同一载具上不同硅片及同一硅片不同区域上的膜厚一致性问题。目前形成的导电薄膜层均匀性，在位于载具边缘区域的硅片上较差，直接导致此区域的硅片所溅射的透明导电薄膜厚度偏低，影响此区域硅片表面导电性，从而影响电池片的电性能。

为了解决上述问题，本实用新型提供一种提升异质结电池效率的载板结构、组件及异质结电池，其采用的技术方案如下：

根据本实用新型的第一技术方案，提供一种提升异质结电池效率的载板结构，所述载板结构包括支撑底板，所述支撑底板的两端固定分别设置一个竖撑板，在所述竖撑板上作115°的倒角，使得两个所述竖撑板与所述支撑底板形成一个5mm的凹槽。

优选的，所述竖撑板与所述支撑底板连接形成一体。

根据本实用新型的第二技术方案，提供一种提升异质结电池效率的载板组件，所述载板组件包括硅片以及根据本实用新型任一实施例所述的载板结构，通过所述凹槽安装所述硅片。

优选的，所述硅片包括N型单晶硅、在所述N型单晶硅正面沉积的正面沉积非晶硅膜层和N型非晶硅层以及在所述N型单晶硅背面沉积的背面沉积非晶硅膜层和P型非晶硅层。