[实用新型]图形化衬底及包含该衬底的LED外延结构及芯片

权利要求书

1.一种图形化衬底，其特征在于，包括：

衬底本体（110）；

周期性的凸起图案结构（120），设置于该衬底本体（110）上；

所述凸起图案结构（120）包括位于顶部的SiO₂层或DBR层（122）、位于中部的SOG层（121）以及与衬底本体材料一致的底部图案层（123），且所述顶部的SiO₂层或DBR层（122）的折射率大于所述中部的SOG层（121）的折射率。

2.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述顶部的SiO₂层或DBR层（122）为底部较宽、顶部较窄的锥体结构、锥台结构或圆台结构；

和/或，所述中部的SOG层（121）为底部较窄、顶部较宽的锥台结构或圆台结构；

和/或，所述底部图案层（123）为锥台结构或圆台结构。

3.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述SiO₂层或DBR层（122）、所述SOG层（121）以及所述底部图案层（123）的高度比为1~10：1：0~1。

4.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述DBR层（122）是由SiO₂和TiO₂以ABAB的方式形成的超晶格结构，周期为1至100。

5.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述衬底本体（110）的材质为蓝宝石、硅、氮化镓或碳化硅。

6.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述凸起图案结构（120）的周期P为0.5~5um。

7.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述底部图案层的底面直径D为0.3~4.8um。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的图形化衬底，其特征在于，所述凸起图案结构（120）的图形高度H为0.3~3.0um。

9.一种LED外延结构，其特征在于，包括如权利要求1至8中任一项所述的图形化衬底（100）。

10.一种LED芯片，其特征在于，包括如权利要求1至8中任一项所述的图形化衬底（100）。