[实用新型]量子器件和量子计算机有效
申请号: | 202123382750.4 | 申请日: | 2021-12-28 |
公开(公告)号: | CN216698425U | 公开(公告)日: | 2022-06-07 |
发明(设计)人: | 杨晖;王念慈;李业 | 申请(专利权)人: | 合肥本源量子计算科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L39/04 | 分类号: | H01L39/04;H01L39/06;H01L39/22;H01L39/24;G06N10/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 230088 安徽省合肥市合肥市高*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 量子 器件 计算机 | ||
1.一种量子器件,其特征在于,包括:
第一基底,所述第一基底上形成有第一量子电路及与所述第一量子电路连接的第一互连元件;
第二基底,所述第二基底上形成有第二量子电路及与所述第二量子电路连接的第二互连元件,且所述第二互连元件和所述第一互连元件接合;以及
支撑元件,所述支撑元件位于所述第一基底和所述第二基底之间,并且所述支撑元件限定所述第一基底和所述第二基底相对平行。
2.根据权利要求1所述的量子器件,其特征在于,
所述第一互连元件包括形成于所述第一量子电路上的第一阻挡层和形成于所述第一阻挡层上的第一焊料层,
所述第二互连元件包括形成于所述第二量子电路上的第二阻挡层和形成于所述第二阻挡层上的第二焊料层,且所述第一焊料层和所述第二焊料层接合。
3.根据权利要求2所述的量子器件,其特征在于,所述第一阻挡层、所述第一焊料层、所述第二阻挡层和所述第二焊料层均为图形化的超导材料层。
4.根据权利要求2或3所述的量子器件,其特征在于,所述第一阻挡层和所述第二阻挡层均为图形化的氮化钛层。
5.根据权利要求2或3所述的量子器件,其特征在于,所述第一焊料层和所述第二焊料层为图形化的铟层。
6.根据权利要求1所述的量子器件,其特征在于,所述支撑元件为非超导的柱体。
7.根据权利要求6所述的量子器件,其特征在于,所述柱体形成于所述第一基底的表面或所述第二基底的表面;或者,至少一个所述柱体形成于所述第一基底的表面并且至少一个所述柱体形成于所述第二基底的表面。
8.根据权利要求6或7所述的量子器件,其特征在于,所述柱体包括硅柱和二氧化硅柱至少之一。
9.根据权利要求8所述的量子器件,其特征在于,所述硅柱与所述第一基底或所述第二基底为一体结构。
10.根据权利要求1至7、9中任一项所述的量子器件,其特征在于,所述第一量子电路包括量子比特电路,所述第二量子电路包括共面波导传输线。
11.根据权利要求1至7、9中任一项所述的量子器件,其特征在于,所述第一基底和所述第二基底为单晶硅基片和蓝宝石基片之一。
12.一种量子计算机,其特征在于,所述量子计算机包括根据权利要求1-11中任一项所述量子器件。
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