[实用新型]稳定300mm单晶硅片掺砷元素拉晶温度的单晶炉

权利要求书

1.一种稳定300mm单晶硅片掺砷元素拉晶温度的单晶炉，其特征在于：包括主炉体、测温组件，所述主炉体的侧壁由内至外依次包括主保温层、中保温层和炉壁外层，所述中保温层的外壁与炉壁外层的内壁不接触，以在保温层与炉壁外层之间形成中空层，在中保温层和炉壁外层上设有测温孔，所述测温孔沿主炉体的径向延伸，所述测温孔的一端贯通炉壁外层，所述测温孔的另一端不贯通主保温层，所述测温组件包括圆形测温玻璃、阻隔件，所述圆形测温玻璃盖合在测温孔位于炉壁外层一端的端面，所述阻隔件设有贯通的连接孔，所述阻隔件夹装在中保温层和炉壁外层之间的中空层中，所述阻隔件的连接孔与测温孔同轴。

2.如权利要求1所述的稳定300mm单晶硅片掺砷元素拉晶温度的单晶炉，其特征在于：所述测温孔的内腔与中空层不连通。

3.如权利要求1所述的稳定300mm单晶硅片掺砷元素拉晶温度的单晶炉，其特征在于：所述阻隔件为环状，所述阻隔件的一个端面与中保温层的外壁贴合，所述阻隔件的另一个端面与炉壁外层的内壁贴合。

4.如权利要求3所述的稳定300mm单晶硅片掺砷元素拉晶温度的单晶炉，其特征在于：所述阻隔件的连接孔的直径等于测温孔的直径。

5.如权利要求3所述的稳定300mm单晶硅片掺砷元素拉晶温度的单晶炉，其特征在于：所述阻隔件由软毡制成。

6.如权利要求3所述的稳定300mm单晶硅片掺砷元素拉晶温度的单晶炉，其特征在于：所述阻隔件的厚度为18mm。

7.如权利要求1所述的稳定300mm单晶硅片掺砷元素拉晶温度的单晶炉，其特征在于：所述阻隔件为筒状，所述阻隔件的外径小于测温孔的内径，所述阻隔件的一端沿测温孔的轴向从中保温层延伸至与主保温层的外壁接触，所述阻隔件的另一端沿测温孔的轴向从炉壁外层延伸至与圆形测温玻璃的端面接触。

8.如权利要求7所述的稳定300mm单晶硅片掺砷元素拉晶温度的单晶炉，其特征在于：所述阻隔件由玻璃制成，所述阻隔件与圆形测温玻璃一体成型。

9.如权利要求1所述的稳定300mm单晶硅片掺砷元素拉晶温度的单晶炉，其特征在于：所述主保温层由石墨制成。

10.如权利要求1所述的稳定300mm单晶硅片掺砷元素拉晶温度的单晶炉，其特征在于：所述中保温层由碳毡制成。