[实用新型]显示基板和显示装置有效
申请号: | 202123385515.2 | 申请日: | 2021-12-29 |
公开(公告)号: | CN217562567U | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
发明(设计)人: | 杨婷雁;张祎杨;李锡平;唐攀登;沙一鸣;卓永 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 显示装置 | ||
本公开提供了一种显示基板和显示装置。显示基板包括显示区域和边框区域,边框区域包括第一电路区、走线区和第二电路区,边框区域包括设置在基底上的边框结构层、第一平坦层和第二平坦层,走线区的边框结构层包括至少一条输出信号线,输出信号线向着显示区域的方向延伸;第一平坦层上设置有至少一个排气槽,第二平坦层上设置有至少一个第二排气槽,第二排气槽在基底上的正投影与输出信号线在基底上的正投影不交叠。本公开通过设置第二排气槽在基底上的正投影与输出信号线在基底上的正投影没有交叠,保证了第二平坦层对信号线的包覆效果,有效避免了出现短路或者信号串扰等不良。
技术领域
本公开涉及但不限于显示技术领域,尤指一种显示基板和显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,简称OLED)和量子点发光二极管(Quantum-dot Light Emitting Diodes,简称QLED)为主动发光显示器件,具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。随着显示技术的不断发展,以OLED或QLED为发光器件、由薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)进行信号控制的显示装置已成为目前显示领域的主流产品。
经本申请发明人研究发现,现有显示装置存在短路或者信号串扰等问题。
实用新型内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本公开示例性实施例所要解决的技术问题是,提供一种显示基板和显示装置,以解决现有显示装置存在的短路或者信号串扰等问题。
本公开提供了一种显示基板,包括显示区域和位于所述显示区域至少一侧的边框区域,所述边框区域包括沿着远离所述显示区域的方向依次设置的第一电路区、走线区和第二电路区;在垂直于所述显示基板的平面上,所述边框区域包括设置在基底上的边框结构层、设置在所述边框结构层远离所述基底一侧的第一平坦层以及设置在所述第一平坦层远离基底一侧的第二平坦层;所述第一电路区的边框结构层包括第一栅极驱动电路,所述第二电路区的边框结构层包括第二栅极驱动电路,所述走线区的边框结构层包括至少一条输出信号线,所述输出信号线向着所述显示区域的方向延伸;所述第一平坦层上设置有第一排气槽,所述第二平坦层上设置有至少一个第二排气槽,所述第二排气槽在所述基底上的正投影与所述输出信号线在所述基底上的正投影不交叠。
在示例性实施方式中,所述第一排气槽和第二排气槽设置在所述走线区。
在示例性实施方式中,所述第一排气槽沿着平行于显示区域边缘的方向连续设置,所述第一排气槽在基底上的正投影与所述输出信号线在基底上的正投影至少部分交叠。
在示例性实施方式中,所述第二平坦层上设置有多个第二排气槽,所述多个第二排气槽沿着平行于显示区域边缘的方向间隔设置。
在示例性实施方式中,多个第二排气槽分别设置在相邻的输出信号线之间,多个第二排气槽在所述基底上的正投影与多个输出信号线在所述基底上的正投影不交叠。
在示例性实施方式中,在相邻的输出信号线之间,所述第二排气槽在所述基底上的正投影包含所述第一排气槽在所述基底上的正投影。
在示例性实施方式中,沿着远离所述显示区域的方向,所述第一排气槽具有第一宽度,所述第二排气槽具有第二宽度,所述第二宽度大于所述第一宽度。
在示例性实施方式中,所述第二宽度为8.0μm至10.0μm。
在示例性实施方式中,所述第二排气槽靠近所述输出信号线一侧的边缘在所述基底上的正投影与所述输出信号线靠近所述第二排气槽一侧的边缘在所述基底上的正投影之间的距离大于或等于2.0μm。
在示例性实施方式中,所述第二平坦层的厚度为1.35μm至2.0μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的