[实用新型]低温度漂移系数的低电源电压基准电路

权利要求书

1.低温度漂移系数的低电源电压基准电路，包括低电源电压带隙基准电路，所述低电源电压带隙基准电路包括：

共栅共源的第一MOS管(M₁)、第二MOS管(M₂)和第五MOS管(M₅)，以及第一晶体管(Q₁)、第二晶体管(Q₂)和第一运放(A₁)，第一MOS管(M₁)和第一晶体管(Q₁)连接于第一运放(A₁)的第一输入端，第二MOS管(M₂)连接于第一运放(A₁)的第二输入端，第五MOS管(M₅)的输出端通过第二电阻接地；

其特征在于，还包括：

第三MOS管(M₃)，其栅极连接第二运放(A2)的输出端，其源极接高电平，漏极通过第三电阻R₃)接地，漏极还接第二运放(A₂)的第二输入端；

第四MOS管(M₄)，其栅极连接第二运放(A₂)的输出端，其源极接高电平，漏极通过第三晶体管(Q₃)接地，第三晶体管(Q₃)为PNP管，基极接第五MOS管的输出端；

第六MOS管(M₆)，其栅极连接第二运放(A₂)的输出端，其源极接高电平，漏极接第五MOS管(M₅)的输出端。